东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

・开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

・电机控制设备（电机驱动等）

特性：

・业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）

・业界最低[3]导通电阻：

           RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

           RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

・高额定通道温度：Tch=175℃

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

注释：

[1] 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷。

[2] 与TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）进行比较，TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。

[3] 截至2019年3月30日，东芝调研。