英飞凌CoolSiC™新成员亮相，碳化硅市场前景广阔

近年来宽禁带半导体的在电源电子行业的持续“火爆”，碳化硅、氮化镓等材料可谓“功不可没”。目前，市场上硅产品相当丰富，包括低压MOS、高压MOS，还有IGBT等等。英飞凌作为全球功率器件（Power Device）市场占有率最高的供应商，也表示对于硅产品会有持续的投入。近日，英飞凌就发布了新产品650V CoolSiC™ MOSFET，并针对碳化硅市场发表了一些看法。

可观的市场前景及广泛的新兴应用

英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源表示，根据今年IHS的预估，今年会有近5000万美元的市场份额。到2028年，市场份额会达到1亿6000万美元。通过下图我们可以了解到，SiC MOSFET的主要应用有不间断电源、电动汽车充电、马达驱动、光伏、储能，以及占比最大的电源。

650V CoolSiC™ MOSFET的出色表现

今年二月，英飞凌进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了650V器件。650V CoolSiC™ MOSFET新推出了8个产品。这8个不同的产品，采用两种插件TO-247封装。既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。

碳化硅的MOSFET的优势显而易见，首先性能提升是一定的，不管是静态性能还是动态性能。同时，坚固性、可靠性及易用性也是英飞凌主要提升的部分。功率密度的提升可以使器件更轻薄、短小，从而缩小系统的尺寸、降低我们占用的空间。用基站举例，它的空间相当有限，甚至可以说是不足的。从这个角度出发，更小的设计不止改善了空间的问题，同时成本、设计和时间问题都会得到改善，从而降低了整个系统的成本。

CoolSiC™ MOSFET的应用

首先，650V CoolSiC™ MOSFET的高效率、设计简化、更高功率密度及更少的零部件特性，完美满足了数据中心PSU电源的需求，能够以更少的零部件数实现98%的一流系统效率。

其次，5G小基站也是一个很好地应用案例。由于小基站是通过分布式和小型的室外和（部分）室内部署，没有人工也没有风扇，所以它要求的效率是相当高的。同时，小基站的工作环境很恶劣，下至零下上至高温100摄氏度，CoolSiC™都可以轻松应对。

另外，CoolSiC™同时也能满足储能系统以及不间断电源系统对于能效、可靠性、双向性、功率密度等高要求，有效地提高了电源工作效率、提升了坚固性和可靠性并降低了系统成本。

Si、SiC和GaN

针对Si、SiC和GaN，陈经理表示这三个产品各有其定位。硅的电压范围是25V-1.7kV，对于功率从低到高的应用都适用，例如移动电源、充电桩、光伏等。碳化硅适用的电压范围相对较高，650V-3.3kV，所以它的应用范围更广，例如风电、大数据中心的供电等。而氮化镓电压范围是80V-650V，适用于开关频率更高的中等功率应用。

“这三个部分英飞凌都有，我们有不同的产品来供应这些应用。”陈经理补充道。

愿景

英飞凌凭借在电源管理领域深耕几十年的经验取得的成就和行业领先地位是我们有目共睹的。了解英飞凌的朋友都知道，英飞凌在整个产品制造、研发投入了很多的精力。同时，英飞凌拥有自己的生产线，不仅在质量上有更可靠的保证，在面对有特殊计划的客户还可以更高效地沟通，灵活地生产、扩产，或是进行战略合作。不管是新产品的导入还是跟客户的合作，一直以来都受到了广泛好评。

期待英飞凌未来更加出色的研发，以及更宽广的业务拓展。