意法半导体MasterGaN®系列新增优化的非对称拓扑产品

基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱?6?7?6?7动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势，MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有的必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。意法半导体的MasterGaN器件可使这些充电器缩小体积80％，减重70％，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用优化的封装，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。