中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权-电源网

国家知识产权局消息显示，中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权，授权公告日为7月13日。该专利申请号为2016107563247，授权公告号为CN107785422B。

据悉，专利权人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。

图片来源：国知局

专利摘要显示，所述方法包括：提供基底；刻蚀基底，形成衬底以及凸出于衬底的鳍部；在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽；在沟槽侧壁的衬底内形成防扩散掺杂区；形成防扩散掺杂区后，在所述沟槽中形成隔离结构；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部和侧壁表面的栅极结构；在栅极结构两侧鳍部内形成源漏掺杂区。

本发明在相邻鳍部之间的衬底内形成沟槽后，在沟槽侧壁衬底内形成防扩散掺杂区；后续在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区后，防扩散掺杂区位于源漏掺杂区之间的鳍部底部，即位于器件沟道区位置处；所述防扩散掺杂区可以抑制源漏掺杂区的掺杂离子向沟道区扩散，从而可以减少沟道漏电流，进而可以提高半导体结构的电学性能。

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