安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信

2021年12月8日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，发布新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI），这对服务器和电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的V_GSS（DC±30 V）增强了系统可靠性。

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说：“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”

FAST版本在硬开关拓扑结构（如高端PFC）中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷（Q_g）和E_OSS损耗，实现快速开关。该版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ R_DS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩR_DS(on)），都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封装，保证达到湿度敏感等级MSL 1，并具有开尔文(Kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。

Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻（R_g）及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途，包括PFC和LLC。在这些器件中，门极和源极之间的内置齐纳二极管的R_DS(on) 超过120 mΩ，对门极氧化物的应力更小，ESD耐用性更高，从而提高封装产量，降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的R_DS(on)为99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封装。

快速恢复（FRFET）版本适用于软开关拓扑结构，如移相全桥（PSFB）和LLC。它们的优势是快速体二极管，并提供降低的Qrr和Trr 。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的NTP125N60S5FZ 的R_DS(on)为125 mΩ，采用TO-220封装，而NTMT061N60S5F 的R_DS(on)为61 mΩ，采用Power88封装。损耗最低的器件是NTHL019N60S5F，R_DS(on)仅19 mΩ，采用TO-247封装。