英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准

【2022年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的ESC(电子速度控制)模块。众所周知，无人机通常需要尺寸小、重量轻的元器件。

这些领先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封装，具备更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及业界极低的导通电阻，能够进一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封装，为PCB布局布线提供了更高的灵活性。此外，该解决方案还具有出色的电气性能，可进一步提高终端应用的功率密度，缩小外形尺寸。同时，系统温度的降低、性能的提升，也让热管理变得更加轻松。这些特性有助于实现更小巧的客户应用，充分节省空间、降低系统成本，打造易于设计的产品。

供货情况

采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列现已上市：

PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)

PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)

更多信息，敬请访问25 V/30 V OptiMOSTM 5。

了解英飞凌为提升能源效率所做出的贡献，请访问：www.infineon.com/green-energy。