村田旗下公司、专注于半导体集成技术的pSemi® Corporation推出业界首款用于支持高达67 GHz的高频应用的单刀四掷开关,进一步扩大该公司旗下的射频 SOI产品组合。新款开关设计紧凑且高效节能,在FR2频率范围内拥有同类产品最佳的插入损耗、线性度、开关时间和功率处理能力,旨在增强5G毫米波系统和短距连接性。目前,pSemi提供毫米波单刀双掷和单刀四掷开关系列产品,助力设计人员在测试和测量、无线基础设施、卫星和点对点通信应用等方面简化设计布局,以及提高系统整体效率。
毫米波产品的兴起
随着面向增强现实(AR)、虚拟现实(VR)和人工智能(AI)设备和应用的投资不断增加,毫米波频率能够发挥至关重要的作用,为先进通信网络提高数据速率、提高吞吐量和降低延迟。5G毫米波和多频段配置促成了更加复杂的信号传输和更加密集的天线结构,以支持不断发展的蜂窝、卫星和未授权标准。设计人员通过实施相控阵天线和优化的射频前端架构来攻克这些挑战,以便在不增加系统噪声或损耗的情况下,最大限度地提高信号强度和吞吐量。
新型pSemi毫米波开关支持无线基础设施、测试和测量、卫星和点对点通信系统等应用。
pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示:“市场对流媒体、增强现实、虚拟现实和混合现实体验的需求加速了毫米波产品的商业化。pSemi不断拓展自身由毫米波开关、数字步进衰减器、波束成形器和升降频转换器组成的产品组合,并随着更高频段的发布,加大技术投资力度,以满足客户在较高的毫米波频率的频谱需求。”
宽带射频开关的特点和优势
三款UltraCMOS®开关支持多种产品配置,兼具射频性能、可靠性和灵活性(尺寸),是9 kHz 至 67 GHz毫米波系统设计的理想之选。PE42545 单刀四掷开关采用倒装芯片形式,最高可支持67 GHz,PE42525 单刀双掷开关最高可支持60 GHz。PE42546 单刀四掷开关采用小型3 x 3mm LGA 封装设计,最高可支持45 GHz频率。
· 低延迟——在先进通信方案中实现快速数据传输模式和快速数据接收模式之间的极速切换。
· 高能效——卓越的功率处理能力和低插入损耗,可节省发射功率并提高接收器灵敏度。
· 宽频带覆盖——采用专利设计技术,达到同类型产品最佳的回波损耗,提供高达67GHz 的射频性能。
测试与测量——毫米波单刀四掷案例分析
测试和测量行业面临着独特的挑战,即需要在5G毫米波技术领域保持领先优势,才能提供先进的测试解决方案。因而设备必须支持更高的功率处理能力、高线性度、低插入损耗和快速切换,以便在极端条件下高效地进行高达67 GHz的压力测试。
全新pSemi 单刀四掷开关简化了滤波器组的设计。
对于希望能够简化复杂宽带设计的测试和测量设计人员来说,单个PE42545或PE42546 单刀四掷开关可以取代级联滤波器组配置中使用的多个单刀双掷开关,从而减少空间,提供插入损耗更低的频段选择路径。随着3GPP标准在5G、5G-Advanced和6G领域的不断发展,使用可扩展且可靠的器件确保设计人员能够轻松调整系统设计,以满足不同的频段配置要求。
更多信息
欲了解更多与宽带开关相关的信息,请联系pSemi团队。
关于pSemi
pSemi Corporation隶属于村田,致力于推动半导体集成。pSemi以Peregrine Semiconductor 长达30年的技术传承以及强大的知识产权组合为基础,肩负起全新使命,即助力增强村田在提供世界一流的高性能射频、模拟、混合信号和光学解决方案方面的能力。凭借在射频集成(RF)方面的坚实基础,pSemi的产品组合目前涵盖电源管理、互联传感器、天线调谐和射频前端等领域。这些智能和高效半导体产品为用于智能手机、基站、个人计算机、电动汽车、数据中心、物联网(IoT)设备和医疗保健等领域的先进模块提供支持。pSemi总部位于圣迭戈,办事处遍布全球各地,公司团队致力于探索以全新方式创造更小、更薄、更快、更好的电子元件,从而为实现互联世界提供支持。欲了解pSemi在半导体技术领域的进展或加入pSemi团队,敬请访问www.psemi.com。
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