英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

该新产品系列采用了英飞凌最新的MOSFET产品技术和领先的封装技术，将系统性能提升至新的水平。在源极底置（SD）封装内部，MOSFET晶圆的源极触点被翻转、并朝向封装的足底一侧，然后焊接到PCB上。此外，该封装内部在芯片顶部还有一个改进的漏极铜夹片设计，实现了市场领先的芯片/封装面积比。

随着系统尺寸的持续变小，降低功率损耗和改进散热这两个关键因素变得至关重要。与当前市面上领先的PQFN 3.3 x 3.3 mm² 漏极底置封装的器件相比，英飞凌新产品系列的导通电阻（RDS(on)）大幅降低了25%。英飞凌双面散热、PQFN封装、OptiMOS™源极底置功率MOSFET可提供一个增强的热界面，将功率损耗从开关器件传导至散热器。双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器，其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。

该新产品系列提供了两种不同的引脚排列形式，为PCB布线提供了极大的灵活性。采用传统标准门极布局的引脚排列形式可实现快速、简单地修改现有的漏极底置设计；而采用门极居中布局的引脚排列形式为多个器件并联提供了新的可能性，并且可以最大限度地缩短驱动芯片与门极之间的走线距离。采用PQFN 3.3 x 3.3 mm²封装的新一代25-150 V  OptiMOS™源极底置功率MOSFET具备优异的连续电流能力，最高可达298A，可以实现最高的系统性能。