ROHM助力减少电源损耗和体积推出集成GaN HEMT和栅极驱动器的EcoGaN Power Stage IC

2023年7月19日，全球知名半导体制造商ROHM面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备，推出集成GaN HEMT和栅极驱动器的EcoGaN Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，该产品可以替代现有的Si MOSFET，从而使器件体积减少99%，功率损耗降低55%，非常有助于减少服务器和AC适配器的体积或者损耗。

目前该系列产品已于2023年6月开始量产，包含两款型号：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，导通电阻分别是70毫欧和150毫欧。此外，还备有三款评估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用来评估芯片的整体方案性能，另外两款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客户现有方案进行测试。

EcoGaN相关产品线，罗姆的氮化镓相关产品的研发历程自2006年开始，经过不断努力，在2021年确立了150V GaN器件技术，普通氮化镓产品是6V耐压，而罗姆产品可以做到8V。在2023年4月开始量产650V耐压产品，此次发布了这款650V Power Stage IC。EcoGaN是罗姆专门为氮化镓器件申请的商标。罗姆将有助于应用产品的节能和小型化的氮化镓器件命名为“EcoGaN™系列”, 并不断致力于进一步提高器件的性能。另外，罗姆不仅致力于元器件的开发，还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。