英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中高档开关模式电源（SMPS），如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2组合1-1

该系列的Thin-TOLL封装外形尺寸为 8x8 mm，具有市场上同类产品中领先的板上热循环（TCoB）能力。TOLT 封装是一种顶部散热（TSC）封装，其外形尺寸与 TOLL相似。这两种封装都能为开发者带来诸多优势。例如，在AI和服务器电源装置（PSU）中采用这两种封装，可以减少子卡的厚度和长度并允许使用扁平散热器。微型逆变器、5G PSU、电视 PSU 和 SMPS通常采用对流冷却，Thin-TOLL 8x8封装用于这些应用时，可以更大程度地减少主板上电源装置所占的PCB面积。与此同时，TOLT还能控制设备的结温。此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 750 V这一顶部散热CoolSiC™ 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。

供货情况

采用 ThinTOLL 8x8和TOLT封装的 650 V G2 CoolSiC™ MOSFET目前的RDS(on) 为20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列还推出了RDS(on) 为15 mΩ的型号。到2024年底，该产品系列将推出更多型号。了解更多信息，敬请访问 www.infineon.com/coolsic-gen2。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工，在2023财年（截至9月30日）的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。

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英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。