能华半导体技术研讨会圆满落幕，行业专家齐聚一堂共话未来

2024年6月15日下午，国内领先的氮化镓IDM企业——能华半导体，在东莞松山湖高新技术产业开发区沁园路的凯悦酒店成功举办了一场盛大的技术研讨会和客户答谢宴。此次活动旨在分享最新的氮化镓行业技术进展，探讨行业趋势，并加强与客户的交流合作。

研讨会汇集了来自全国各地的六百多位行业专家、学者、媒体及企业代表。现场座无虚席，气氛热烈，参会者们积极互动，讨论氛围非常活跃。

能华半导体董事长朱廷刚博士上台致辞

演讲者包括来自复旦大学、南京大学、东南大学、华南理工大学等国内知名高校的教授们，他们带来了关于氮化镓领域的前沿研究成果和深刻见解。同时，能华半导体的高层领导和技术人员也在研讨会上分享了氮化镓相关技术的发展趋势，以及公司在氮化镓产品领域的最新进展和成果。

会议首先由董事长朱廷刚博士发表了致辞。这次会议邀请了复旦大学黄伟教授、南京大学陆海教授、东南大学李胜博士以及华南理工大学李宗涛教授等多位专家。同时，能华半导体的CTO李亦衡博士、外延副总夏远洋博士、研发副总武乐可博士、应用副总章涛，以及战略合作伙伴陈扬博士也分享了各自领域的最新研究和应用进展。

在本次研讨会中，黄伟教授指出，GaN功率器件在高频快充等应用中表现出众，未来在AI人工智能发展背景下，GaN技术将生机无限。陆海教授介绍了GaN功率器件在瞬态能量冲击、浪涌电流应力等工况下的可靠性表征平台，并详细讲解了在航天抗辐照应用中的测试成果。李胜博士则全面对比了级联型GaN功率HEMT器件与硅基超结MOSFET器件的电学参数，阐述了GaN功率HEMT器件的电学特性优势及其设计优化方向。李宗涛教授分享了电子散热技术的最新进展，提出了异构集成近结散热的新设计思路。

此外，李亦衡博士介绍了能华半导体在D-mode和E-mode GaN器件方面的现状和未来规划，夏远洋博士阐述了提升GaN材料耐压水平和GaN材料的外延优势与挑战，武乐可博士详细介绍了能华半导体GaN产品的制造工艺、市场表现以及产品介绍。章涛副总分享了GaN功率器件在新能源电动汽车等多元化应用中的巨大潜力和机遇，并提出应对现有技术挑战的策略。陈扬博士则详细介绍了单级式谐振变换器的设计与应用优势，展示了该技术在氮化镓器件中的实际应用案例。

此次研讨会展示了氮化镓技术的最新进展和应用前景，促进了能华半导体与客户及学术界的深入交流。与会者一致认为，此次会议为行业发展提供了重要的交流平台，对推动氮化镓技术的创新和应用具有积极意义。能华半导体表示，未来将继续推进更多高质量的研讨会和交流活动，进一步促进产学研的深度融合。

在技术研讨会结束后，能华半导体还举办了一场盛大的客户答谢宴。宴会在凯悦酒店的豪华宴会厅进行，宾客们用餐期间自由交流，增进感情。能华半导体的高层领导在各桌间穿梭，与参会者亲切交谈，感谢他们的支持并聆听他们的反馈和建议。能华半导体表示，将继续秉持开放合作的态度，与各界携手共进，推动氮化镓技术的创新与应用，为行业的可持续发展贡献力量。

关于能华半导体

能华半导体于2010年成立，是国内领先的专注于第三代半导体GaN的高新技术企业，核心团队汇聚了从外延到器件设计、制造工艺，封装和测试到应用模块等各个环节的科技创新型资深专家，是全球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司，自成立至今已获得专利100多项。总部位于江苏苏州，在加州硅谷、深圳均设有研发基地和市场销售中心。