安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型

新闻要点

-最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%

-该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗

-与安森美 (onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间

-安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅产品

中国上海 - 2024 年 7 月 19 日 - 面对不断升级的气候危机和急剧增长的全球能源需求，世界各地的政府和企业都在为宏大的气候目标而携手努力，致力于减轻环境影响，实现可持续未来。其中的关键在于推进电气化转型以减少碳排放，并积极利用可再生能源。为加速达成这个全球转型目标，安森美（纳斯达克股票代号：ON）推出了最新一代碳化硅技术平台 EliteSiC M3e MOSFET，并计划将在 2030 年前推出多代新产品。

安森美电源方案事业群总裁 Simon Keeton 表示：“电气化的未来依赖于先进的功率半导体，而电源创新对于实现全球电气化和阻止气候变化至关重要。如果电源技术没有重大创新，现有的基础设施将无法满足全球日益增长的智能化和电气化出行需求。我们正在积极推动技术创新，计划到 2030 年大幅提升碳化硅技术的功率密度，以满足日益增长的能源需求，并助力全球电气化转型。”

在这一过程中，EliteSiC M3e MOSFET 将发挥关键作用，以更低的千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性，从而加速普及电气化并强化实施效果。由于能够在更高的开关频率和电压下运行，该平台可有效降低电源转换损耗，这对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足可持续人工智能引擎指数级增长的能源需求。

可信赖平台实现效率代际飞跃

凭借安森美独特的设计和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低 30%，并将关断损耗降低多达 50%[ 基于内部与EliteSiC M3T MOSFET的对比测试]。通过延长 SiC 平面 MOSFET 的寿命并利用 EliteSiC M3e 技术实现出色的性能，安森美可以确保该平台的坚固性和稳定性，使其成为关键电气化应用的首选技术。

EliteSiC M3e MOSFET 还提供超低导通电阻 (RSP) 和抗短路能力，这对于占据 SiC 市场主导地位的主驱逆变器应用来说至关重要。采用安森美先进的分立和功率模块封装，1200V M3e 裸片与之前的 EliteSiC 技术相比，能够提供更大的相电流，使同等尺寸主驱逆变器的输出功率提升约 20%。换句话说，在保持输出功率不变的情况下，新设计所需的 SiC 材料可以减少 20%，成本更低，并且能够实现更小、更轻、更可靠的系统设计。

此外，安森美还提供更广泛的智能电源技术，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器、电子保险丝等，并均可与 EliteSiC M3e 平台配合使用。通过这些安森美优化和协同设计的功率开关、驱动器和控制器的端到端一体化技术组合，可实现多项先进特性集成，并降低整体系统成本。

加速未来电源技术发展

未来十年，全球能源需求预计会急剧增加，因此提高半导体的功率密度变得至关重要。安森美正积极遵循其碳化硅技术发展蓝图，从裸片架构到新型封装技术全面引领行业创新，以此持续满足行业对更高功率密度的需求。

每一代新的碳化硅技术都会优化单元结构，以在更小的面积上高效传输更大的电流，从而提高功率密度。结合公司自有的先进封装技术，安森美能最大化提升性能并减小封装尺寸。通过将摩尔定律引入碳化硅技术的开发，安森美可以并行研发多代产品，从而加速实现其发展路线图，以在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新产品。

“凭借数十年来在功率半导体领域积累的深厚经验，我们不断突破工程和制造能力的边界，以满足全球日益增长的能源需求。“安森美电源方案事业群技术营销高级总监 Mrinal Das 表示，”碳化硅的材料、器件和封装技术之间存在很强的相互依赖性。对这些关键环节的完全掌控，使安森美能够更好地把握设计和制造过程，从而更快地推出新一代产品。”

EliteSiC M3e MOSFET 采用行业标准的 TO-247-4L 封装，样品现已上市。