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请教IGBT被击穿的原因

请教IGBT被击穿的原因

IGBT前端是三相380V整流后的直流电，大约500V左右，直流电没有经过滤波电路，直接连接IGBT。IGBT选择的是BSM100GAL120DCLK，指标是1200V,100A，选择富士EXB841做IGBT的驱动。现在的情况是驱动输出的波型是正常的，电压范围在-5V到18V左右，但是IGBT一上380就击穿了，CE通了，但是GE没有通。负载是一个加热钨丝，功率大约是5KW。我在IGBT的CE端加了一个600V左右的压敏电阻，也试过使用大约1000V的瞬态抑制二极管，但是IGBT被击穿了，二极管没事，这是什么原因的，希望大虾指教！谢谢大家！

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LV.6

2

2013-06-13 15:21

IGBT开通关断时峰值电压超过1200V了.

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LV.8

3

2013-06-14 01:00

可能是IGBT的擎住效应，也就是过流失效。因为负载是钨丝，冷态电阻比工作电阻小很多倍，一般小10倍以上，开通电流大10几倍，导致IGBT进入过流失效状态。应加缓启动。

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LV.1

4

2013-06-20 10:54

@wen88

IGBT开通关断时峰值电压超过1200V了.

可能主电路的引线过长，导致分布电感较大，IGBT关断瞬间产生的尖峰电压把IGBT击穿，建议在IGBT的CE极接个缓冲吸收电路，减小驱动电阻，减小主电路的回路面积

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LV.2

5

2013-06-24 16:30

@btma

可能是IGBT的擎住效应，也就是过流失效。因为负载是钨丝，冷态电阻比工作电阻小很多倍，一般小10倍以上，开通电流大10几倍，导致IGBT进入过流失效状态。应加缓启动。

igbt三代开始基本消除擎住效应了

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LV.5

6

2013-06-27 14:42

EMI没有做好

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LV.1

7

2015-07-25 15:53

个人认为应该低压启动，震荡稳定之后再升功。如果直接输出符合负载谐振的驱动也是需要低压启动，然后再升。

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LV.1

8

2015-09-19 19:43

不接滤波电容？？贴电路图，我告诉你怎么解决

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