• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

请教IGBT被击穿的原因

    IGBT前端是三相380V整流后的直流电,大约500V左右,直流电没有经过滤波电路,直接连接IGBT。IGBT选择的是BSM100GAL120DCLK,指标是1200V,100A,选择富士EXB841做IGBT的驱动。现在的情况是驱动输出的波型是正常的,电压范围在-5V到18V左右,但是IGBT一上380就击穿了,CE通了,但是GE没有通。负载是一个加热钨丝,功率大约是5KW。我在IGBT的CE端加了一个600V左右的压敏电阻,也试过使用大约1000V的瞬态抑制二极管,但是IGBT被击穿了,二极管没事,这是什么原因的,希望大虾指教!谢谢大家!

全部回复(7)
正序查看
倒序查看
wen88
LV.6
2
2013-06-13 15:21
IGBT开通关断时峰值电压超过1200V了.
0
回复
btma
LV.8
3
2013-06-14 01:00

可能是IGBT的擎住效应,也就是过流失效。因为负载是钨丝,冷态电阻比工作电阻小很多倍,一般小10倍以上,开通电流大10几倍,导致IGBT进入过流失效状态。应加缓启动。

0
回复
2013-06-20 10:54
@wen88
IGBT开通关断时峰值电压超过1200V了.
可能主电路的引线过长,导致分布电感较大,IGBT关断瞬间产生的尖峰电压把IGBT击穿,建议在IGBT的CE极接个缓冲吸收电路,减小驱动电阻,减小主电路的回路面积
0
回复
2013-06-24 16:30
@btma
可能是IGBT的擎住效应,也就是过流失效。因为负载是钨丝,冷态电阻比工作电阻小很多倍,一般小10倍以上,开通电流大10几倍,导致IGBT进入过流失效状态。应加缓启动。
igbt三代开始基本消除擎住效应了
0
回复
174048754
LV.5
6
2013-06-27 14:42
EMI没有做好
0
回复
jizuboy
LV.1
7
2015-07-25 15:53
个人认为应该低压启动,震荡稳定之后再升功。如果直接输出符合负载谐振的驱动也是需要低压启动,然后再升。
0
回复
2015-09-19 19:43
不接滤波电容??贴电路图,我告诉你怎么解决
0
回复