特郁闷,100W电源老炸机

说一下你的电路和变压器参数嘛.这样说,那个知道为什么?

EI33
600uH

12N60

炸机时温度多高,先炸哪些东西,坏了哪些东西?电路图??

基本上是炸MOS管,如果厉害点就涉及周边的零件

电路是典型的3843+10N60
光耦反馈到3843的1脚2脚,2脚接地

电路是什么拓扑结构,贴个电路图,看看是电压还是电流或其他因素引起炸机的,好让大家帮你分析分析!!

兄弟电路图给出来看看嘛!@你这样说!那个知道你的什么样子的!我们都只知道一个大概!把电路图贴出来大家都来学习学习三!

How many is Working Frewuency?
Maybe the MOSFET is too poor.Did you test the MOSFET temperature?I think if it is not open-frame,but a adapter,that will cause the mosfet overheat,damaged the MOSFET.
  Maybe change the MOSfet to a super one is a solution.
Of course,confirming the transformer was not saturated is necessary.

我和楼主也有相似的经历 做功率大一点的适配器 本来反激100W 以上就比较费力了 而且电流又是8安以上 炸机的基本过程是这样的 装上外壳后 机内温度就上升 尤其是MOS的温度上升 MOS的温度上升后 其耐压值就会下降 而反激大电流的变压器 漏感本身就比较大 尖峰就大
解决的办法有两个
一是用高一些耐压的MOS
第二是不用反激电路 这样的输出规格本来就不适合用反激

mos管温度上升,耐压不会下降吧,是承受功率下降了,用个多路探温计监测各个功率开关器件温升,问题就一目了然了.

炸机是雪崩击穿的结果

请将你开关MOS管 D极波波形发出来以便大家分析.

12N60C功率够了,可是工作久了温度是很高的,直接结果就是炸机.
做了个150w的,用风扇散热,才可以,所以要有很好的散热

这样子吧你把你的MOS换到800V耐压试一下,
我想是不是耐压不够吧!

學習中

我同意你的看法,只要散热的问题解决了,可能要好一点.

同意你的观点,改善散热条件

是否选的耐压太低了.我们选的是900V的,没有发生过炸管啊.

是不是磁饱和了?电路工作频率是多少?频率很低吗?没电路又没参数无法分析.

耐壓是夠的,除非你的吸收電路跟TRANSFOMER有問題,應該是你的MOS電流不夠
你用的10A的MOS是在環境溫度25度測的數據.
你可以查你的DATASHEET,在100度的時候你的電流可能就只有6A了,這樣造成你的MOS損壞.
MOS壞了的話你的源極限流電阻,保險,3842都有可能損壞.

不知你做過ON/OFF試驗沒有???

这样规格的电路600V的耐压肯定不够  12V8A以上的输出规格 漏感尖峰是很大的 无论你怎么样改善变压器的绕制工艺 其尖峰还是大于100V以上 而且变压器的铜损也是一个不能小视的问题 这种规格的反激电路 比较难做

变压器用小了,还成EI40的,重新设计下,可定可以.我可以免费帮忙!!!

MOS管的电流大小我都试过,最大的用了20A600V,盖上外壳还是炸机,
我想除了温度没有别的原因
因为曾试过用风扇吹一点问题都没有
而且可以长期稳定工作

频率是75K
MOS管用了7A-20A的都试过,同样会在盖壳后炸机

我建议你量一下变压器的温升,估计十有八九是
变压器的温度过高,已超过磁芯的居里点了.变
压器EI33用于120W本身就小了.

這位兄弟說的對
可能是變壓溫度過高,造成磁飽和才燒掉MOS
變壓器可能要重新設計.....

改成正激

我认为同时应该考虑384**芯片的散热问题.

嘿嘿,给你一个技术市场行情.
一款300W ATX 电源,技术交易价在五万左右.国内成熟厂家不少于一百家.

一款一百瓦ADAPTER,技术交易价在100-150万左右,国内成熟厂家(包括港,台,和日美在华企业)不多于五家.

希望你能成功.

反激电路用600V Mosfet足够了, 关键是选择好初次级匝比,你的烧机现象可能有3个原因:
1, MOSFET D 极反压太高, 判断方法,把输入电压调低,看坏不坏.
2, MOSFET 散热不好. 测温度.
3, 变压器设计磁感应强度(Bmax)余量不够, 高温老化时,磁芯磁饱和烧机,因为磁芯在高温时允许Bmax更低 (一般要小于0.35T才安全),测波形,算Bmax

呵呵,厉害,不知道这些行情的依据是什么?