请各位高手谈谈:升压DC/DC用移相全桥软开关技术的缺陷
本人接触电源这一块不久,算是个新手.发现DC/DC用移相全桥软开关技术的几乎全是降压型的,且大功率时也能做到高效率.但从原理上说升压DC/DC用移相全桥软开关技术完全可以实现,并且窃以为工程上也有广泛的前景.为什么没人做过?是效率不行,还是什么?如果是效率的问题,是否主要就是在升压后整流管上大量的能量消耗.这个问题可以解决吗?多谢.
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@wlx230
我的电路是典型的ZVS电路拓扑,IGBT为IMBH60D-100.另外请教雪老师一个示波器的问题,在拔掉示波器电源线插头中间脚后,用示波器测超前桥臂的IGBT的CE间电压时(主电路已工作),当示波器打到GND时,显示并不是理想的一条横线而是上有高频干扰的信号,这是否为电路对示波器的干扰,这样测试的波形是否真实?多谢了
忘了附主电路图:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@wlx230
忘了附主电路图:[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你的电路有问题!
1MBH60D-100是富士的IGBT,不过我在富士的网站上没有找到该型号的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,这是DATASHEET:1094874207.pdf
从DATASHEET上看,这种IGBT的速度是很慢的,根本不适合在高频下使用.
而且,ZVS软开关最好采用MOSFET,因为MOSFET的DS结电容可以相当于缓冲电容,使开关管是零电压关断.如果你的确想用IGBT,那你需要在每个开关管的CE极并上一个高频缓冲电容,用于实现零电压关断.而且你必须使用高速的、内带反向并联二极管的IGBT.向你推荐一个型号:IXYS的IXGH32N60CD1,不过,我觉得你的输入电压只有150VDC,还是选200V或300V的MOSFET更合适,因为低压的MOSFET的RDSon相对较小.
还有,建议你把C7加上,防止偏磁.
每个开关管到底是否实现了ZVS,你可以用示波器观察驱动波形和VDS波形来判断.
1MBH60D-100是富士的IGBT,不过我在富士的网站上没有找到该型号的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,这是DATASHEET:1094874207.pdf
从DATASHEET上看,这种IGBT的速度是很慢的,根本不适合在高频下使用.
而且,ZVS软开关最好采用MOSFET,因为MOSFET的DS结电容可以相当于缓冲电容,使开关管是零电压关断.如果你的确想用IGBT,那你需要在每个开关管的CE极并上一个高频缓冲电容,用于实现零电压关断.而且你必须使用高速的、内带反向并联二极管的IGBT.向你推荐一个型号:IXYS的IXGH32N60CD1,不过,我觉得你的输入电压只有150VDC,还是选200V或300V的MOSFET更合适,因为低压的MOSFET的RDSon相对较小.
还有,建议你把C7加上,防止偏磁.
每个开关管到底是否实现了ZVS,你可以用示波器观察驱动波形和VDS波形来判断.
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@wlx230
忘了附主电路图:[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094847392.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
请问您的L2和C11,C12是怎么确定的参数啊?多谢!
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@乞力马扎罗的雪
你的电路有问题!1MBH60D-100是富士的IGBT,不过我在富士的网站上没有找到该型号的DATASHEET,只找到相似的1MBH60D-90A,这是DATASHEET:1094874207.pdf从DATASHEET上看,这种IGBT的速度是很慢的,根本不适合在高频下使用.而且,ZVS软开关最好采用MOSFET,因为MOSFET的DS结电容可以相当于缓冲电容,使开关管是零电压关断.如果你的确想用IGBT,那你需要在每个开关管的CE极并上一个高频缓冲电容,用于实现零电压关断.而且你必须使用高速的、内带反向并联二极管的IGBT.向你推荐一个型号:IXYS的IXGH32N60CD1,不过,我觉得你的输入电压只有150VDC,还是选200V或300V的MOSFET更合适,因为低压的MOSFET的RDSon相对较小.还有,建议你把C7加上,防止偏磁.每个开关管到底是否实现了ZVS,你可以用示波器观察驱动波形和VDS波形来判断.
雪老师:不好意思,我的开关管型号应为1MBH50D-060,(这是最原先的图纸)其CE上有650P的缓冲电容.此IGBT开关速度是比较慢,所以我把驱动信号死区时间设定为1.6us,在40KHZ以下应该还是可以的吧.(学生试验,没有那么多经费买新管子),至于加隔直电容以防偏磁,原先我也是这样考虑的,但它会不会影响零电压开关转换?参照阮新波老师的书上也没有加此电容.
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@乞力马扎罗的雪
任何电源拓扑都有其应用的局限性.移相全桥也可以用于升压电路.有这样的例子.关键是看你的输入输出需求是否合适采用这种拓扑.
雪老师请看这个电路是否实现的了转灯! 用6N60做18.5V2.5A的充电器.电气性能要求:85%的效率..短路保护带转灯功能.最大电流2.8时应保护.谢谢!1095192705.ddb
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