使用20N03L时,输入7V,尖峰电压峰值就有36V左右。。。
使用18N06L时,输入7V,尖峰电压峰值就有68V左右。。
输入7V~8V,输入5V1A。。。带MOS管。。。。。。。
用很一般的反激做。。。
漏感会不会太大了?
RCD吸收用的什么参数?
这个好像不是吸收的问题。。。。
好像是电感吸收的能量没地方发泄所造成的。。。
我现在用稳压二极管+电阻嵌位住。。。。
还没找到合适的电路来嵌位。。。。
加了那么多元件没有什么优势了哦。
请问大家还有更好的其他IC方案吗?
谢谢!
印象中这个IC的抗干扰能力比较差
你能把你的布线发上来吗?估计是你的地线问题引起的
做成反激式的。。。就是尖峰很大。。。
而且改变RCD,有一些变化,但波形依然是那样。。。。。。
你的地线果然走得让人揪心,都沿外围走了一大圈
我用小刀割断。。。然后用跳线接。。。。
没什么影响。。。。
真的不行,就只能用瞬抑管了。。。。。
用9V的稳压管来抑制,
刚好可以用40N03的MOS管。。。
你是怎么割的,怎么飞线的?
我在9楼就说了这个IC 的抗干扰能力较差,记得将功率部分的地线跟控制部分分离
遵循的原则是短粗直
R5的左端的地,断开。。。
直接从EC2的地那边引出来。。。
这个尖峰是在MOS关断时产生的吗?
可以调节RCD参数,加大C。
或者将MOS关断得慢点。
现在准备用抑制管了。。。比较难以削掉。。。
电阻太小。。。效率很低。。。
反激尖峰,
这通常是变压器设计的问题,漏感的比例太大,这个尖峰发生在MOS管关断;
如果是工作在CCM模式,输出二极管的反向恢复也会引起尖峰,这个尖峰发生在MOS管开通;
找出问题根源,再对症下药!
这是MOS管的反压。。
在MOS管截止产生的。。。
用抑制管比较好。。。
现在用SEPIC的隔离型的。。。。反压下降了不少。。。。
但效率比反激低了。。。
只要手段适当,这个尖峰是不难消掉的。
无非就是更改驱动,调整RCD参数等等。