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【求助贴】附图 Flyback起机就烧IC

各位兄台,请教一个问题,描述如下:

条件:Vin=12V  Vo=18V  Io=0.4A  变压器安匝比1:1(原副边都是19匝),L=22uH,大致原理图如下:

 

现象:起机就烧IC,波形如下:(黄色为上图中SW处的波形)

 

原因分析:变压器漏感Llk和MOS的结电容Coss产生LC电路,导致Vring>40V(超过了MOS的耐压),所以起机就烧IC,

我尝试加一个Snubber吸收电路,Csn=10nF,Rsn=100K,如下图,可是依然不起作用,所以恳请各位给刚入门的小弟提点意见,是不是改变变压器的绕法或者其他途径可以解决,谢谢大家!

 

全部回复(18)
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2012-10-09 16:56

次级多加几圈试试,祝你成功

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meloyhj
LV.2
3
2012-10-09 16:58
@q243655906
次级多加几圈试试,祝你成功

谢谢,我现在的安匝比是1:1,是不是原级次级都多增加几圈呢?

增加的目的是减少漏感吗?

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2012-10-09 17:18
查看一下起机瞬间的电流波形。计算起机时MOS的功耗是否超出了规格。
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meloyhj
LV.2
5
2012-10-09 17:25
@fly
查看一下起机瞬间的电流波形。计算起机时MOS的功耗是否超出了规格。
多谢Fly团长。起机时的波形如图二中的绿色波形,从示波器所测来看,SW的最高尖峰毛刺已到达50.4V,而我的MOS是IC内置的(最大耐压38V),所以我估计应该是超过最大功耗了,所以我才加了一个RCD Snubber去吸收尖峰毛刺,但是试了几组RC参数,效果没有改善。
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老梁头
LV.10
6
2012-10-09 17:35
@meloyhj
多谢Fly团长。起机时的波形如图二中的绿色波形,从示波器所测来看,SW的最高尖峰毛刺已到达50.4V,而我的MOS是IC内置的(最大耐压38V),所以我估计应该是超过最大功耗了,所以我才加了一个RCDSnubber去吸收尖峰毛刺,但是试了几组RC参数,效果没有改善。
把你画的原理图贴上来看看!
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meloyhj
LV.2
7
2012-10-09 17:55
@老梁头
把你画的原理图贴上来看看!

 

原本是一个Boost电路,现在把电感L1换成第一幅图中的flyback就是了,应用在高频头里的。

谢谢啦!

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2012-10-09 18:03
@meloyhj
多谢Fly团长。起机时的波形如图二中的绿色波形,从示波器所测来看,SW的最高尖峰毛刺已到达50.4V,而我的MOS是IC内置的(最大耐压38V),所以我估计应该是超过最大功耗了,所以我才加了一个RCDSnubber去吸收尖峰毛刺,但是试了几组RC参数,效果没有改善。
你是说尖峰电压没有降低?最好还是改变下变压器的绕法,减小漏感。
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meloyhj
LV.2
9
2012-10-10 09:01
@fly
你是说尖峰电压没有降低?最好还是改变下变压器的绕法,减小漏感。
是的,加了RCD Snubber后尖峰没有降低,漏感我量了一下,0.8uH左右。改变绕法的具体做法是不是用三明治绕法?多谢!
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fly
10
2012-10-10 09:40
@meloyhj
是的,加了RCDSnubber后尖峰没有降低,漏感我量了一下,0.8uH左右。改变绕法的具体做法是不是用三明治绕法?多谢![图片]
是的,三明治绕法可以减小漏感
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2012-10-10 09:42

呵呵,楼主用的是力科的示波器吧

对于你的这个电源,从你提供的参数看,占空比已经超过0.6了,不知此IC时电流模式还是电压模式控制方式?

我给你几点建议吧:

1、降低匝比,尽量控制最大的占空比不超过0.5.

2、对于这种低压的输入、输出小功率电源,建议采用初次级绕组双线并绕的方法,可以最大限度的减小漏感。

3、IC的供电不要直接从输入部分取,要加一个二极管跟一个小电阻,电容的方式给IC独立供电。

4、Layout的时候,主功率回路面积尽量小

供你参考。

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meloyhj
LV.2
12
2012-10-10 09:59
@心中有冰
呵呵,楼主用的是力科的示波器吧对于你的这个电源,从你提供的参数看,占空比已经超过0.6了,不知此IC时电流模式还是电压模式控制方式?我给你几点建议吧:1、降低匝比,尽量控制最大的占空比不超过0.5.2、对于这种低压的输入、输出小功率电源,建议采用初次级绕组双线并绕的方法,可以最大限度的减小漏感。3、IC的供电不要直接从输入部分取,要加一个二极管跟一个小电阻,电容的方式给IC独立供电。4、Layout的时候,主功率回路面积尽量小供你参考。

对!是Lecory的示波器,而且我们的IC是Current Control Mode。承蒙您拔冗指教,受益匪浅。多谢多谢!BTW,鄙人不才,您的第三条建议,一个Diode+小电阻+电容的IC供电方式,可否给一张示意图,这样做的目的是什么呢?谢谢!

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2012-10-11 11:29
变压匝比用1:2都嫌小。。。
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2012-10-11 11:30
@dxsmail
变压匝比用1:2都嫌小。。。

我觉得IC的耐压不足造成的。。。。一般这种耐压大概40V左右吧??、

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2012-10-11 11:32
@dxsmail
变压匝比用1:2都嫌小。。。

最好在RCD那边用瞬拟管。。。应该12V的就可以了。。。

没有可以用稳压管先试试。。。

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meloyhj
LV.2
16
2012-10-11 13:07
@dxsmail
最好在RCD那边用瞬拟管。。。应该12V的就可以了。。。没有可以用稳压管先试试。。。
好的,非常感谢,我去试一下!
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meloyhj
LV.2
17
2012-10-11 13:15
@dxsmail
我觉得IC的耐压不足造成的。。。。一般这种耐压大概40V左右吧??、
是的,您说的很对。就是因为耐压不足导致的。IC的内置MOS最大耐压38V,变压器漏感和结电容所致SW Ring到了52V(第二幅图可见),所以击穿了。我加了RCD Snubber却没有见效,所以才求助各位大侠支点招。呵呵。
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2012-10-11 13:49
@dxsmail
最好在RCD那边用瞬拟管。。。应该12V的就可以了。。。没有可以用稳压管先试试。。。
是瞬抑管。。。。
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meloyhj
LV.2
19
2012-10-11 15:12
@dxsmail
是瞬抑管。。。。
TVS是吧,有的。
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