天大的好消息，今天刚刚看到TI的邮件，TI果然推出强劲的MOSFET/IGBT的驱动芯片。

这个芯片就是： ISO5500

果然不出我所料，几天还在说TI为何不做硅隔离器件，没有想到今天看到这个好消息了，难道是巧合。

现在我没有样品，还没有仔细看过他们的规格书，不过同种类型的产品我已经用了。

Silicon Laboratories公司的相关产品我在用了，应该TI的这种芯片和他们的类似，

下面说说这种芯片的优势：
1，隔离强度很高很高可以到5KV
2，可以支持很高的数据传输速度，如果是功率器件的，可以做到很低的传输延时，那些上百KHZ乃至上MHZ的PWM几乎都不用考虑传输延迟，可以瞬间秒杀一切光耦芯片。
3，输出的波形可以堪称完美，
以上几点是我用这类器件的出来的经验，不知道TI的芯片如何。
建议电源网和TI举行一个相关的项目，我可以实际操刀来做这个项目。评估一下芯片性能！

业界相关产品的公司是：

Silicon Laboratories公司

ADI公司，
现在又多了一个TI了，可选的余地大大的多了
还有英飞凌，他们好像是基于变压器的什么东东，不过他们那个没有这些好用。