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【讨论】反激变压器磁饱和与输入电压关系?

请教各位:同样负载条件下,反激变压器在高电压输入容易磁饱和还是低电压输入容易磁饱和?

初级电流,高压输入时di/dt较大,而低压输入时直流分量较大,同样是影响磁饱和的因素。

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aczg01987
LV.10
2
2012-11-01 06:28
低压易饱和
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2012-11-01 08:45

是否饱和是看Bmax。对应于峰值电流。

对于始终工作于DCM的反激来说,相同负载下高低压的峰值电流是一样的。

对于低压工作于CCM而高压工作于DCM的反激来说,DCM时的峰值电流大于CCM,因此高压时更容易饱和。

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zhenxiang
LV.10
4
2012-11-01 08:52
@fly
是否饱和是看Bmax。对应于峰值电流。对于始终工作于DCM的反激来说,相同负载下高低压的峰值电流是一样的。对于低压工作于CCM而高压工作于DCM的反激来说,DCM时的峰值电流大于CCM,因此高压时更容易饱和。

对于始终工作于DCM的反激来说,相同负载下高低压的峰值电流是一样的。

请问这个如何解释,那如果是一样的为什么低压输入时电流模式控制的限流点要比高压输入时低呢。

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2012-11-01 10:05
@zhenxiang
对于始终工作于DCM的反激来说,相同负载下高低压的峰值电流是一样的。请问这个如何解释,那如果是一样的为什么低压输入时电流模式控制的限流点要比高压输入时低呢。

对于DCM的反激来说,其输出的能量等于开关管开通时变压器存储的能量,变压器存储的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此输出功率Po=Pin*效率。从这个式子可以看出,峰值电流只和输出功率、原边电感量、频率有关。一定要和输入电压扯上关系的话,只能是高低压时效率不同了,当然这个效率差别有多大,要看你自身的设计了。从原理上来说,DCM的反激原边峰值电流和输入电压是没有关系的,这个你可以自己做个测试。

你所说的低压输入时电流模式控制的限流点要比高压输入时低的问题是由于通常情况下,反激在低压重载的时候是CCM工作的,峰值电流比DCM时小。

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zhenxiang
LV.10
6
2012-11-01 10:30
@fly
对于DCM的反激来说,其输出的能量等于开关管开通时变压器存储的能量,变压器存储的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此输出功率Po=Pin*效率。从这个式子可以看出,峰值电流只和输出功率、原边电感量、频率有关。一定要和输入电压扯上关系的话,只能是高低压时效率不同了,当然这个效率差别有多大,要看你自身的设计了。从原理上来说,DCM的反激原边峰值电流和输入电压是没有关系的,这个你可以自己做个测试。你所说的低压输入时电流模式控制的限流点要比高压输入时低的问题是由于通常情况下,反激在低压重载的时候是CCM工作的,峰值电流比DCM时小。
感谢您的认真回复,就是这几句;变压器存储的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此输出功率Po=Pin*效率.就把问题说清楚了。佩服。
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r2271297
LV.6
7
2012-11-01 10:54
@fly
是否饱和是看Bmax。对应于峰值电流。对于始终工作于DCM的反激来说,相同负载下高低压的峰值电流是一样的。对于低压工作于CCM而高压工作于DCM的反激来说,DCM时的峰值电流大于CCM,因此高压时更容易饱和。

"对于低压工作于CCM而高压工作于DCM的反激来说,DCM时的峰值电流大于CCM,因此高压时更容易饱和。"

对于这点我没语言了~~已经不知道纠正多少次了,好吧再说一次,对于一个电源,当进入CCM时,峰值电流肯定是要大于在DCM的时候!

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2012-11-01 11:28
@r2271297
"对于低压工作于CCM而高压工作于DCM的反激来说,DCM时的峰值电流大于CCM,因此高压时更容易饱和。"对于这点我没语言了~~已经不知道纠正多少次了,好吧再说一次,对于一个电源,当进入CCM时,峰值电流肯定是要大于在DCM的时候!
请说出你的依据
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zhenxiang
LV.10
9
2012-11-01 11:49
@fly
请说出你的依据

讨论越来越有意思了、

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r2271297
LV.6
10
2012-11-01 11:50
@fly
请说出你的依据

这个早就有结论的,不想再多说了 ,你可以参考这个帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315  里面我多次提到,有计算,有图示!

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zhenxiang
LV.10
11
2012-11-01 15:49
@r2271297
这个早就有结论的,不想再多说了,你可以参考这个帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315 里面我多次提到,有计算,有图示!
欢迎来讨论这个问题。我个人是觉得其它条件不变,在输入电压越低时越容易饱和。所以计算反激变压器都是按最低输入电压来计算感量和匝数的呀。但FLY老师说的也有道理。还请继续讨论
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缪法
LV.4
12
2012-11-01 21:12
@fly
对于DCM的反激来说,其输出的能量等于开关管开通时变压器存储的能量,变压器存储的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此输出功率Po=Pin*效率。从这个式子可以看出,峰值电流只和输出功率、原边电感量、频率有关。一定要和输入电压扯上关系的话,只能是高低压时效率不同了,当然这个效率差别有多大,要看你自身的设计了。从原理上来说,DCM的反激原边峰值电流和输入电压是没有关系的,这个你可以自己做个测试。你所说的低压输入时电流模式控制的限流点要比高压输入时低的问题是由于通常情况下,反激在低压重载的时候是CCM工作的,峰值电流比DCM时小。
对于定频的PWM控制器来说,Ipk值相同应该没错;对于变频的PFM控制器来说,高压时工作频率fs比较小,假设Pin恒定,Ipk值越大,应该越容易进入饱和吧?
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缪法
LV.4
13
2012-11-01 21:37
@r2271297
这个早就有结论的,不想再多说了,你可以参考这个帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315 里面我多次提到,有计算,有图示!
之前也看过类似的讨论,但在实际设计产品时发现高压输入上电瞬间出现了磁饱和,原因是启动瞬间占空比和频率都达到最大,根据U=L*di/dt,高压条件下di/dt达到最大,电流Ipk值也比低压时高,更容易进入磁饱和。
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缪法
LV.4
14
2012-11-03 15:25
@缪法
之前也看过类似的讨论,但在实际设计产品时发现高压输入上电瞬间出现了磁饱和,原因是启动瞬间占空比和频率都达到最大,根据U=L*di/dt,高压条件下di/dt达到最大,电流Ipk值也比低压时高,更容易进入磁饱和。

顶上去防沉了

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dulai1985
LV.10
15
2012-11-04 00:05
@缪法
顶上去防沉了[图片]
不一定把~~我觉得FLY说的不叫全面~~
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dulai1985
LV.10
16
2012-11-06 23:47
@dulai1985
不一定把~~我觉得FLY说的不叫全面~~
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