关于电感储能和无源软开关的疑惑。

一般开关电源中的电感作用就是储存能量-释放能量，那么对于一个特定的磁环来说，它能存储的最大能量应该是不变的吧，但是为什么同一个磁环提高开关电源的频率可以使功率做得更大呢？比如我用一个磁环绕了20圈得到30uh感量，饱和电流3A，那么做一个boost电路开关频率要300K可以做到50W，如果我在这个磁环上只绕了15圈得到15uh，但是饱和电流却可以达到4A，把开关频率提高到600K，那么功率就可以做到50W以上不费力，为什么会这样呢？能量不守恒了？如果这样的话，是不是用同样的磁环通过提高开关频率可以做到100W以上呢？这就是所谓的功率密度？

还有关于软开关，也就是零电流开通，零电压关断的无源软开关是不是开关损耗跟频率关系不大，主要损耗就是导通电阻R（on）呢？Coss和Qr ，Tr， Tf这些造成的损耗对频率影响大么？用软开关技术后，mosfet的主要损耗是哪些呢？提高开关频率会加重哪些损耗呢？有点迷糊了，请各位老师讨论下。

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wklzsw

LV.3

2012-11-07 19:02

没有大师来谈谈么？

fly

2012-11-07 21:22

首先你要搞清楚电感的储能公式W=0.5*L*I*I,因此一个周期内它传递的功率应该为P=0.5*L*I*I*fs.因此对于相同的功率而言，频率升高，其电流可以降低。但是频率不能无休止的往上升，磁芯的铁损是和频率正相关。

软开关技术能够降低开关损耗，但实际工作的时候，很多电路是不能在全范围完全实现软开关的。如果完全实现软开关的话，主要的损耗就是导通电阻的损耗了。实际上，软开关的电路有很多种，不同的软开关电路工作情况不一样，其损耗的分析也不尽相同。比如常见的是ZVS，是零电压开通，那么关断损耗就要考虑了。MOSFET的开关损耗，驱动损耗等都是跟频率有关的。

wklzsw

LV.3

2012-11-11 11:58

@fly

首先你要搞清楚电感的储能公式W=0.5*L*I*I,因此一个周期内它传递的功率应该为P=0.5*L*I*I*fs.因此对于相同的功率而言，频率升高，其电流可以降低。但是频率不能无休止的往上升，磁芯的铁损是和频率正相关。软开关技术能够降低开关损耗，但实际工作的时候，很多电路是不能在全范围完全实现软开关的。如果完全实现软开关的话，主要的损耗就是导通电阻的损耗了。实际上，软开关的电路有很多种，不同的软开关电路工作情况不一样，其损耗的分析也不尽相同。比如常见的是ZVS，是零电压开通，那么关断损耗就要考虑了。MOSFET的开关损耗，驱动损耗等都是跟频率有关的。

频率升高，每个周期的电流峰峰值不还是一样的么？