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【对战+无名】+绕制变压器时，碰到绕组绕不满一层的时候，那这一层是采用疏绕还是密绕好，为什么？各有啥优缺点？

以前做电源，都是把参数给变压器供应商绕制变压器时，没有亲自绕过，现在调试样品全要自己手工绕，所以想问碰到绕组绕不满一层的时候，那这一层是采用疏绕还是密绕好，为什么？各有啥优缺点？
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电源网-源源
LV.10
2
2012-11-28 12:08
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aczg01987
LV.10
3
2012-11-28 12:12

一般优秀的变压器设计者都会让每层绕满，只有完整的绕组才能保证良好的耦合

绕不满的话可以双线或多线并绕

关于疏绕还是密绕要看是什么层，

     次级的话一般不能疏绕，会影响带载能力

     初级疏绕的话EMI比较难处理

    反馈可以疏绕，

 

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dulai1985
LV.10
4
2012-11-28 12:23

我觉得哪张绕法都一样保证绕出来后线圈保持在中心就好啦~~~

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xz564425321
LV.5
5
2012-11-28 12:23
可以加挡墙调整
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dulai1985
LV.10
6
2012-11-28 12:24
@dulai1985
我觉得哪张绕法都一样保证绕出来后线圈保持在中心就好啦~~~
最好是设计变压器的时候算好~~~尽量不要出现这种情况~~我看别人都是在两边加一下非漆包线的介质让漆包线绕在中间即可~~
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lookingdong
LV.7
7
2012-11-28 12:25
@aczg01987
一般优秀的变压器设计者都会让每层绕满，只有完整的绕组才能保证良好的耦合绕不满的话可以双线或多线并绕关于疏绕还是密绕要看是什么层，    次级的话一般不能疏绕，会影响带载能力    初级疏绕的话EMI比较难处理   反馈可以疏绕， 

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zhenxiang
LV.10
8
2012-11-28 13:11
@xz564425321
可以加挡墙调整

反馈绕组 自供电绕组大多会有这样的情况，我的做法是疏绕,密绕也有那就是尽量绕在骨架中间，最怕是密绕还只在骨架的一侧，这样这个绕组的输出电压就会跟随主输出绕组的负载轻重，输入电压高低而变化。有好多靠检测VCC做OVP保护的芯片就会表现为带重载后关断PWM。

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junestar520
LV.9
9
2012-11-28 20:42
@zhenxiang
反馈绕组自供电绕组大多会有这样的情况，我的做法是疏绕,密绕也有那就是尽量绕在骨架中间，最怕是密绕还只在骨架的一侧，这样这个绕组的输出电压就会跟随主输出绕组的负载轻重，输入电压高低而变化。有好多靠检测VCC做OVP保护的芯片就会表现为带重载后关断PWM。
一般初级都会想办法饶满，可以合理的控制线径或加挡墙来处理。而且初级一般都会采用密绕吧。
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junestar520
LV.9
10
2012-11-28 20:43
@dulai1985
最好是设计变压器的时候算好~~~尽量不要出现这种情况~~我看别人都是在两边加一下非漆包线的介质让漆包线绕在中间即可~~
哪种绕法都一样，这种说法可不敢恭维啊，兄弟。
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junestar520
LV.9
11
2012-11-28 20:46
@junestar520
哪种绕法都一样，这种说法可不敢恭维啊，兄弟。
像次级和VCC绕组采用疏绕或密绕有时就会有很大的差别。这个问题有时还很难察觉，小批量试产可能会没问题，一到大批量就会发现问题了。
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junestar520
LV.9
12
2012-11-28 20:50
@junestar520
一般初级都会想办法饶满，可以合理的控制线径或加挡墙来处理。而且初级一般都会采用密绕吧。

同意真版的意见啊...果然是高手，呵呵...

 

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junestar520
LV.9
13
2012-11-28 20:52
@junestar520
同意真版的意见啊...果然是高手，呵呵... 
疏绕和密绕，差别在于耦合系数的不同
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junestar520
LV.9
14
2012-11-28 21:15
@aczg01987
一般优秀的变压器设计者都会让每层绕满，只有完整的绕组才能保证良好的耦合绕不满的话可以双线或多线并绕关于疏绕还是密绕要看是什么层，    次级的话一般不能疏绕，会影响带载能力    初级疏绕的话EMI比较难处理   反馈可以疏绕， 
在绕组密绕不能绕满骨架一层时，可以散绕均匀分布绕满骨架一层或加挡墙是绕在骨架中间。如果绕在一边对参数有影响不说，还给绕制下一层带来不方便。
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junestar520
LV.9
15
2012-11-28 21:19
@junestar520
疏绕和密绕，差别在于耦合系数的不同
还有一个问题，疏绕和密绕对EMC会有什么影响？
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zhangwei0846
LV.5
16
2012-11-28 21:25

若绕不满的话，我习惯性的采用居中密绕，哪种绕法好还得以实测EMI结果为准。

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junestar520
LV.9
17
2012-11-28 21:50
@zhangwei0846
若绕不满的话，我习惯性的采用居中密绕，哪种绕法好还得以实测EMI结果为准。
你说的居中密绕，是针对所有绕组而言嘛？
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dulai1985
LV.10
18
2012-11-29 00:24
@junestar520
你说的居中密绕，是针对所有绕组而言嘛？
，被你鄙视啦~~
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dxsmail
19
2012-11-29 08:42
@junestar520
你说的居中密绕，是针对所有绕组而言嘛？
很少居中密绕的。。。除非是安规过不了。。。用挡墙。。。
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junestar520
LV.9
20
2012-11-29 09:18
@dulai1985
[图片]，被你鄙视啦~~

怎么会鄙视你呢，你想多了，兄弟，哈哈...

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qinzutaim
21
2012-11-29 09:36
我一般要求厂家均匀绕制......
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junestar520
LV.9
22
2012-11-29 17:48
@qinzutaim
我一般要求厂家均匀绕制......

绕不满一层的时候均匀绕制吗？这样不也算疏绕吗？

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心如刀割
23
2012-11-29 18:30
@aczg01987
一般优秀的变压器设计者都会让每层绕满，只有完整的绕组才能保证良好的耦合绕不满的话可以双线或多线并绕关于疏绕还是密绕要看是什么层，    次级的话一般不能疏绕，会影响带载能力    初级疏绕的话EMI比较难处理   反馈可以疏绕， 
不错
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junestar520
LV.9
24
2012-11-30 09:27
@dxsmail
很少居中密绕的。。。除非是安规过不了。。。用挡墙。。。
是的，很多时候安规距离过不了会增加挡墙以增加安规距离。这里想问一下，增加的挡墙胶带的材质有什么要求吗？
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老钟电源IC
LV.11
25
2012-11-30 11:55
@junestar520
像次级和VCC绕组采用疏绕或密绕有时就会有很大的差别。这个问题有时还很难察觉，小批量试产可能会没问题，一到大批量就会发现问题了。
路过关注学习
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老钟电源IC
LV.11
26
2012-11-30 11:56
@junestar520
还有一个问题，疏绕和密绕对EMC会有什么影响？
密绕对EMC要好一些
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老钟电源IC
LV.11
27
2012-11-30 11:57
@junestar520
绕不满一层的时候均匀绕制吗？这样不也算疏绕吗？
算疏绕
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junestar520
LV.9
28
2012-11-30 12:31
@老钟电源IC
算疏绕
是啊，也是疏绕。
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冰上鸭子
LV.10
29
2012-11-30 13:52

还有顺绕和反绕效果也不一样

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junestar520
LV.9
30
2012-11-30 14:54
@冰上鸭子
还有顺绕和反绕效果也不一样

能详细的讲一讲吗，冰上鸭子老师？

 

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冰上鸭子
LV.10
31
2012-11-30 15:35
@junestar520
能详细的讲一讲吗，冰上鸭子老师？ 
我是打酱油的！只是在实际应用中发现过这样的问题。具体是什么原因导致的就不知道了 反绕与顺绕有点差别
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