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大家帮帮我,看看这里需要多大的管子?

最近搞个直流电磁铁控制线路,控制电磁铁每隔10S钟工作0.3S,大家看看这里得选多大的管子,IRFP460行不行?
  请高手指点.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155350505.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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xing1234
LV.6
2
2006-08-12 14:25
电磁铁线圈要加二极管反向释放能量,开关管很好选择,大于400V的就应可以,电流有点大啊,可以用两个IRFP450并联可能比用IGBT便宜些.
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zbren
LV.2
3
2006-08-12 15:49
@xing1234
电磁铁线圈要加二极管反向释放能量,开关管很好选择,大于400V的就应可以,电流有点大啊,可以用两个IRFP450并联可能比用IGBT便宜些.
谢谢了,xing1234.
1.二极管是否要用快恢复的?
2.不考虑成本的话,IRFP450与IGBT哪个更可靠一点?
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xing1234
LV.6
4
2006-08-12 16:49
@zbren
谢谢了,xing1234.1.二极管是否要用快恢复的?2.不考虑成本的话,IRFP450与IGBT哪个更可靠一点?
1、用普通整流二极管就可以了比如用1N5408试试,不发热就行,4007都可以试一下,可以的话跟我说一声.
2、IGBT当然好些,结压降小些,发热量小.
3、不知测过工作电流否?估计能有20A吧!
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lijunkof
LV.5
5
2006-08-12 22:59
@zbren
谢谢了,xing1234.1.二极管是否要用快恢复的?2.不考虑成本的话,IRFP450与IGBT哪个更可靠一点?
二极管不需要快恢复,标称电流容量估计要10A以上.
不考虑成本当然是MOS可靠性好,而且要老一点的型号,coolmos类的可靠性就差多了.
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zbren
LV.2
6
2006-08-13 06:32
@xing1234
1、用普通整流二极管就可以了比如用1N5408试试,不发热就行,4007都可以试一下,可以的话跟我说一声.2、IGBT当然好些,结压降小些,发热量小.3、不知测过工作电流否?估计能有20A吧!
1.工作电流峰值不超过15A.
2.二极管用的是6A10,工作时感觉不到温度.5408和4007没有试过.
3.我选用MOS管IRFP460,使用中经常烧,其中大部分有发热烧焦的痕迹,也有个别的没有发热烧焦的痕迹也击穿了,我考虑是不是MOS管截止时,二极管来不及吸收线圈的反向电压,与电源电压叠加在一起,将MOS管击穿的,所以我想换个快恢复二极管一试.
4.使用过程中没有加散热器,正常工作时温升很小,大部分能用较长时间,有的则时间不长不就坏了,难道是没加散热器的原因....
5.如果用IGBT能好一点的话,我还用IGBT管试一下,20A的MOS和IGBT价格是相差不了多少钱.
6.谢谢xing1234的大力支持.
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zbren
LV.2
7
2006-08-13 06:35
@lijunkof
二极管不需要快恢复,标称电流容量估计要10A以上.不考虑成本当然是MOS可靠性好,而且要老一点的型号,coolmos类的可靠性就差多了.
1、谢谢回复.
2、老一点的型号,巴有具体说一下吗.
3、我是新手,请问coolmos是什么呀?
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lijunkof
LV.5
8
2006-08-13 09:01
@zbren
1、谢谢回复.2、老一点的型号,巴有具体说一下吗.3、我是新手,请问coolmos是什么呀?
就你用的IRFP460就合适,不要用LC后缀的.
MOS最好加上吸收电路,关断不要过快,加上热容量大一点的散热片.
coolmos简单的说就是成本更低性能更好的MOS,最大的问题就是破坏能量不高,相对普通MOS更容易坏.
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wbp001
LV.7
9
2006-08-13 16:29
@lijunkof
就你用的IRFP460就合适,不要用LC后缀的.MOS最好加上吸收电路,关断不要过快,加上热容量大一点的散热片.coolmos简单的说就是成本更低性能更好的MOS,最大的问题就是破坏能量不高,相对普通MOS更容易坏.
这类功率电器直接用场效应管开关,没有辅助电路即使是IGBT也不可靠的.
不如用继电器加长效应管或其他三极管控制可靠.
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zbren
LV.2
10
2006-08-14 08:36
@lijunkof
就你用的IRFP460就合适,不要用LC后缀的.MOS最好加上吸收电路,关断不要过快,加上热容量大一点的散热片.coolmos简单的说就是成本更低性能更好的MOS,最大的问题就是破坏能量不高,相对普通MOS更容易坏.
IFRP460后缀LC是什么意思?
“MOS最好加吸收电路”,什么样的吸收电路,怎么加,不好意思,见笑了.
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xing1234
LV.6
11
2006-08-14 10:42
@lijunkof
二极管不需要快恢复,标称电流容量估计要10A以上.不考虑成本当然是MOS可靠性好,而且要老一点的型号,coolmos类的可靠性就差多了.
1、1N5408正向峰值电流能上200A/8.3mS,6A10就更没有问题了
2、如果一个MOS管不行的话,两个管子直接并联使用,可能是峰值太大了.
3、普通MOS栅极电压最好>8V,但<10V为好,我没有用过460不知具体参数,你可以按给出的参数控制驱动电压,栅极绝不能悬空,你最好用示波器看一下栅极驱动电压波形,不要有振荡.
4、应加一个散热器,小点都可以.
5、IGBT电流可以做得很大,你可以试一下.
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剑心
LV.8
12
2006-08-14 13:04
@xing1234
1、1N5408正向峰值电流能上200A/8.3mS,6A10就更没有问题了2、如果一个MOS管不行的话,两个管子直接并联使用,可能是峰值太大了.3、普通MOS栅极电压最好>8V,但
既然是交流市电整流供电,还不如用可控硅,价格便宜量又足
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xing1234
LV.6
13
2006-08-14 13:23
@剑心
既然是交流市电整流供电,还不如用可控硅,价格便宜量又足
可控硅导通时间不好控制,用GTO又太贵了,且控制太复杂.
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zbren
LV.2
14
2006-08-14 14:08
@剑心
既然是交流市电整流供电,还不如用可控硅,价格便宜量又足
可控硅价格是便宜,但感觉可靠性差点.
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xing1234
LV.6
15
2006-08-14 14:20
@zbren
可控硅价格是便宜,但感觉可靠性差点.
如果对导通时间0.3S要求不严格的话,可以用普通单硅过零关断.
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lijunkof
LV.5
16
2006-08-16 15:08
@zbren
IFRP460后缀LC是什么意思?“MOS最好加吸收电路”,什么样的吸收电路,怎么加,不好意思,见笑了.
LC后缀表示低导通电阻低栅极电荷,单脉冲破坏能量低一些.
吸收电路有很多种,不考虑成本可以用1.5KE200两个串联后并在MOS DS之间.
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lijunkof
LV.5
17
2006-08-16 15:15
@xing1234
1、1N5408正向峰值电流能上200A/8.3mS,6A10就更没有问题了2、如果一个MOS管不行的话,两个管子直接并联使用,可能是峰值太大了.3、普通MOS栅极电压最好>8V,但
1N5408的200A/8.3ms是极限值,长期接近这个数值工作是不可靠的.
根据楼主的描述,不像是电流容量不足,而且MOS允许的脉冲电流是很大的,再并MOS意义不大.
普通MOS工作频率不高时栅压最好大于15V但不超过18V,要保证栅极低阻抗驱动.
IGBT电流容量和耐压确实可以做得很高,但参数相近时MOS的可靠性远好于IGBT.
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lijunkof
LV.5
18
2006-08-16 15:24
@zbren
可控硅价格是便宜,但感觉可靠性差点.
可控硅不仅价格便宜,可靠性也很好.
电磁铁是个很大的感性负载,触发脉冲要宽一点,如果你没有其他特殊要求最好用直流触发,简单又可靠.
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xing1234
LV.6
19
2006-08-16 15:27
@lijunkof
可控硅不仅价格便宜,可靠性也很好.电磁铁是个很大的感性负载,触发脉冲要宽一点,如果你没有其他特殊要求最好用直流触发,简单又可靠.
占同!
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zbren
LV.2
20
2006-08-16 15:54
@lijunkof
1N5408的200A/8.3ms是极限值,长期接近这个数值工作是不可靠的.根据楼主的描述,不像是电流容量不足,而且MOS允许的脉冲电流是很大的,再并MOS意义不大.普通MOS工作频率不高时栅压最好大于15V但不超过18V,要保证栅极低阻抗驱动.IGBT电流容量和耐压确实可以做得很高,但参数相近时MOS的可靠性远好于IGBT.
你好,谢谢回复.
前边xing1234说:“普通MOS栅极电压最好>8V,但<10V为好”
你在上贴中讲:“普通MOS工作频率不高时栅压最好大于15V但不超过18V,要保证栅极低阻抗驱动.”
****大家来说说同MOS管到底什么样的驱动方式好?*******
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zbren
LV.2
21
2006-08-16 16:02
@lijunkof
可控硅不仅价格便宜,可靠性也很好.电磁铁是个很大的感性负载,触发脉冲要宽一点,如果你没有其他特殊要求最好用直流触发,简单又可靠.
谢谢lijunkof
  请问在这种控制中,可控硅和MOS管,哪一种更可靠一点?
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lijunkof
LV.5
22
2006-08-16 22:13
@zbren
谢谢lijunkof  请问在这种控制中,可控硅和MOS管,哪一种更可靠一点?
如果限制成本可控硅好得多,如果成本要求不严MOS也可以有很好的可靠性.另外还要看你有无其他要求,如只是简单的通断控制建议使用可控硅,控制方法和三极管一样.但可控硅无法自关断,高纹波的直流会导致电磁铁额外发热,用MOS就可以加滤波,电磁铁几乎只有绕组的直流损耗.
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lijunkof
LV.5
23
2006-08-16 22:19
@zbren
你好,谢谢回复.前边xing1234说:“普通MOS栅极电压最好>8V,但
驱动电压主要受MOS导通损耗与开关驱动损耗之比影响,提高栅压可以减小导通损耗,但驱动功率随栅压的平方倍增加,对驱动电路的要求就相应提高.
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剑心
LV.8
24
2006-08-17 22:54
@lijunkof
如果限制成本可控硅好得多,如果成本要求不严MOS也可以有很好的可靠性.另外还要看你有无其他要求,如只是简单的通断控制建议使用可控硅,控制方法和三极管一样.但可控硅无法自关断,高纹波的直流会导致电磁铁额外发热,用MOS就可以加滤波,电磁铁几乎只有绕组的直流损耗.
可控硅无法自关断并不一定就会导致电流纹波高,可以参考一下直流电机拖动用的半控桥电路,平波电感可以用电磁铁自身的电感.早期出的电力电子拖动的书上会有很详细的介绍,包括参数计算和可控硅触发电路的设计.

这种大功率/特大功率的东西,可控硅整流装置(不是可控硅逆变装置)的可靠性应该是无与伦比的.可控硅本身的可靠性跟二极管差不多,其他的器件都跟三极管差不多.
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lijunkof
LV.5
25
2006-08-18 00:01
@剑心
可控硅无法自关断并不一定就会导致电流纹波高,可以参考一下直流电机拖动用的半控桥电路,平波电感可以用电磁铁自身的电感.早期出的电力电子拖动的书上会有很详细的介绍,包括参数计算和可控硅触发电路的设计.这种大功率/特大功率的东西,可控硅整流装置(不是可控硅逆变装置)的可靠性应该是无与伦比的.可控硅本身的可靠性跟二极管差不多,其他的器件都跟三极管差不多.
可控硅导通低纹波直流必须强制关断.
直流电机拖动的半控桥是将纹波推向负载,并非低纹波.
电磁铁作平波电感就会导致额外发热.
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剑心
LV.8
26
2006-08-22 12:13
@lijunkof
可控硅导通低纹波直流必须强制关断.直流电机拖动的半控桥是将纹波推向负载,并非低纹波.电磁铁作平波电感就会导致额外发热.
直流电磁铁本身已经是100%的铜损了,多来点铁损也无所谓
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剑心
LV.8
27
2006-08-22 12:15
@lijunkof
可控硅不仅价格便宜,可靠性也很好.电磁铁是个很大的感性负载,触发脉冲要宽一点,如果你没有其他特殊要求最好用直流触发,简单又可靠.
直流触发的EMI太大,过零型好些
最简单的方法就是买一个大功率SSR模块(固态继电器)接在火线上作开关,后面接整流全桥模块+电磁铁,全是现成的东西直接搞定.
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zbren
LV.2
28
2006-08-24 08:12
@剑心
直流触发的EMI太大,过零型好些最简单的方法就是买一个大功率SSR模块(固态继电器)接在火线上作开关,后面接整流全桥模块+电磁铁,全是现成的东西直接搞定.
这种方法成本高体积大.....
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