电压缓冲电路请教

请教在用在MOSFET上的电压缓冲电路,如在开关管两端并联RCD 缓冲电路,请问何谓RCD 缓冲电路,其具体电路是什么样的?还有别的典型缓冲电路吗(除了RC),在这些缓冲回路中的R和C的取值要注意什么?能否算出?

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jurda

LV.6

2004-09-09 18:29

对于MOSFET,工作时候与变压器原边串联,由于变压器漏感和MOSFET较大的开通电容的影响,使得其关断时候会承受一个很高的电压尖峰.
为了减小这个尖峰,我们使用RCD缓冲电路.如图:

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
RCD电路有很多类型:纯粹的RCD,带回馈电感的RCD,带回馈变压器的RCD.后边两种都是为了将消耗在R上的能量转化为电磁能量回馈电网减小损耗.

RCD工作时候,由于钎位关系将开关管两端电压限制在2Vdc,C使得开关管集电极或者漏级电压上升速度减缓.之后C通过电阻R放电,或者将能量转移到电感或变压器中最终回馈电网.

C的取值需要足够的大,使得开关管电压上升速度足够缓慢,保证开关管不受到冲击.而C因为损耗的原因也不能太大,而R的大小没有特别要求,R越小,C的放电速度越快.只需要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时候放完电荷就可以了.

有什么问题,再讨论.

jiang_df

LV.1

2004-09-10 13:00

@jurda

对于MOSFET,工作时候与变压器原边串联,由于变压器漏感和MOSFET较大的开通电容的影响,使得其关断时候会承受一个很高的电压尖峰.为了减小这个尖峰,我们使用RCD缓冲电路.如图:[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD电路有很多类型:纯粹的RCD,带回馈电感的RCD,带回馈变压器的RCD.后边两种都是为了将消耗在R上的能量转化为电磁能量回馈电网减小损耗.RCD工作时候,由于钎位关系将开关管两端电压限制在2Vdc,C使得开关管集电极或者漏级电压上升速度减缓.之后C通过电阻R放电,或者将能量转移到电感或变压器中最终回馈电网.C的取值需要足够的大,使得开关管电压上升速度足够缓慢,保证开关管不受到冲击.而C因为损耗的原因也不能太大,而R的大小没有特别要求,R越小,C的放电速度越快.只需要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时候放完电荷就可以了.有什么问题,再讨论.

谢谢jurda的回答,有机会还向你多多请教.

细节决定成败

LV.7

2005-01-25 20:44

@jurda

请问,当RC时间常数确定后,是R值大的时候损耗大还是C值大的时候损耗大?

jurda

LV.6

2005-01-25 20:58

@细节决定成败

请问,当RC时间常数确定后,是R值大的时候损耗大还是C值大的时候损耗大?

C大损耗大.

细节决定成败

LV.7

2005-01-25 21:04

@jurda

C大损耗大.

可否讲讲原理呢?谢谢

可是你在第二帖中说“C的取值需要足够的大,使得开关管电压上升速度足够缓慢,保证开关管不受到冲击.而C因为损耗的原因也不能太大,而R的大小没有特别要求,R越小,C的放电速度越快.只需要在Ton的时间内保证C在下次开关管关断时候放完电荷就可以了. ”
好像是C值越大越好!!!!

请指教!