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efficiency 与topology

这里只讨论efficiency 与topology的问题.各位请把你做过的或知道的写出来供大家参观.
1.
型号:DCDC
拓扑: Forward
测试条件: Vin:48V(36-75). Vout:5V. Iout:5A.
效率:88%.
2.
型号:DCDC(half brick)
拓扑: Forward (active clamp synchronous switch)
测试条件: Vin:48V(36-75). Vout:5V. Iout:20A.
效率:92%
3.
型号:DCDC(half brick)
拓扑: Forward (active clamp synchronous switch)
测试条件: Vin:48V(36-75). Vout:3.3V. Iout:50A.
效率:90%
4.
型号:DCDC(half brick)
拓扑: Forward (active clamp)
测试条件: Vin:48V(38-58). Vout:24V. Iout:17A.
效率:92%
5.
型号:DCDC(1/4 brick)
拓扑: four quadrant (synchronous switch)
测试条件: Vin:48V(35-75). Vout:2.5V. Iout:20A.
效率:90%
6.
型号:DCDC(1/4 brick)
拓扑: half bridge (synchronous switch)
测试条件: Vin:48V(40-57). Vout:12V. Iout:22A.
效率:95%
7.
型号:DCDC
拓扑: buck converter (synchronous switch)
测试条件: Vin:12V. Vout:1.8V. Iout:90A.
效率:86%.
8.
型号:DCDC
拓扑: buck converter (synchronous switch)
测试条件: Vin:12V. Vout:2.5V. Iout:80A.
效率:91%
9.
型号:ACDC(PFC)
拓扑: interleaving converter
测试条件: Vin:AC220 .Vout:12V. Iout:100A.
效率:84%
10.
型号:ACDC(PFC)
拓扑: interleaving converter
测试条件: Vin:AC220 .Vout:57V. Iout:40A.
效率:92%
11.
型号:ACDC(PFC)
拓扑: interleaving converter
测试条件: Vin:AC220 .Vout:24V. Iout:40A.
效率:90%.
12.
型号:ACDC(PFC)
拓扑: LLC
测试条件: Vin:AC220 .Vout:12V. Iout:10A.
效率:86%
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timhoo
LV.2
2
2006-08-29 17:25
能详细介绍点9吗?
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gjhsz
LV.5
3
2006-08-29 20:22
不错!
0
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dlinli
LV.5
4
2006-08-29 21:25
您好,想问问你的2和3有没有这个问题?我的空载电流超大,图在下面的连接中,期待您的帮助,谢谢!
http://bbs.dianyuan.com/topic/108376
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liyongzhi
LV.3
5
2006-08-30 08:37
@dlinli
您好,想问问你的2和3有没有这个问题?我的空载电流超大,图在下面的连接中,期待您的帮助,谢谢!http://bbs.dianyuan.com/topic/108376
Below is the main schematic for 9 point.
this is a mainstream for >1000W ACDC.


1156898231.doc
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liyongzhi
LV.3
6
2006-08-30 09:00
@liyongzhi
Belowisthemainschematicfor9point.thisisamainstreamfor>1000WACDC.1156898231.doc
dlinli:
   for you referrence:
1156899595.doc
0
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liyongzhi
LV.3
7
2006-08-30 10:26
@liyongzhi
dlinli:  foryoureferrence:1156899595.doc
dlinli:
      this is a schematic for Forward (active clamp synchronous switch).for your reference.
1156904800.doc
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rhett
LV.8
8
2006-08-30 15:02
好贴帮你顶一下!
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liyongzhi
LV.3
9
2006-08-30 15:43
@gjhsz
不错!
gjhsz:
Below is the design file with Mathcad for point4(dcdc400w).is OK?


1156923798.pdf
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liyongzhi
LV.3
10
2006-08-30 15:54
@rhett
好贴帮你顶一下!
Dear rhett:thank you very much!
全部产品均有详细设计过程.第9帖 是其一.
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rhett
LV.8
11
2006-08-30 15:56
@liyongzhi
Dearrhett:thankyouverymuch!全部产品均有详细设计过程.第9帖是其一.
谢谢你分享你的成果!有时间我会研究研究向你请教请教.
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liyongzhi
LV.3
12
2006-08-30 16:02
@liyongzhi
gjhsz:BelowisthedesignfilewithMathcadforpoint4(dcdc400w).isOK?1156923798.pdf
1156924964.pdf
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dlinli
LV.5
13
2006-08-30 16:23
@liyongzhi
dlinli:      thisisaschematicforForward(activeclampsynchronousswitch).foryourreference.1156904800.doc
thank you very much for you kindness,your documents are of great help for me,thanks again!hope to be your friends!
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liyongzhi
LV.3
14
2006-08-30 16:59
没人知道efficiency 吗?
我自己顶一个(去年设计的):
型号:DCDC75W (half brick)
拓扑: forward (Diode rectifier)
测试条件: Vin:48V. Vout1:+12V. Iout1:6A. Vout2:-12V. Iout2:1.5A.
效率:89%.
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dlinli
LV.5
15
2006-08-30 22:21
@liyongzhi
没人知道efficiency吗?我自己顶一个(去年设计的):型号:DCDC75W(halfbrick)拓扑:forward(Dioderectifier)测试条件:Vin:48V.Vout1:+12V.Iout1:6A.Vout2:-12V.Iout2:1.5A.效率:89%.
这么高啊,怎么实现的?这个瓦数我们用推挽做也就不到85的效率,虽然是28V输入.DIODE用的型号可以告知吗?
还有问您个问题:自驱动同步整流的空载和同步MOSFET的Q值关系很大吧/我用一个高Q和低Q的,空载电流相差上百个毫安.
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timhoo
LV.2
16
2006-08-31 07:54
@liyongzhi
Belowisthemainschematicfor9point.thisisamainstreamfor>1000WACDC.1156898231.doc
thanks
如果用全桥软开关的话效率应该会高点,试问下您考虑用ITTF的出发点是什么?对于这种大电流高功率的电源选型应该注意哪方面?
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liyongzhi
LV.3
17
2006-08-31 09:16
@timhoo
thanks如果用全桥软开关的话效率应该会高点,试问下您考虑用ITTF的出发点是什么?对于这种大电流高功率的电源选型应该注意哪方面?
胡来同志:
      在我熟知的几百个产品中,全桥电路极少,原因是可靠性较低.大批量生产最重要的是可靠性,有一台坏机赔死你,对于1000W  to 4000W , 我们主要用interleaving converter.ITTF 代替全桥电路是最李想的.thank you!
0
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liyongzhi
LV.3
18
2006-08-31 09:40
@dlinli
这么高啊,怎么实现的?这个瓦数我们用推挽做也就不到85的效率,虽然是28V输入.DIODE用的型号可以告知吗?还有问您个问题:自驱动同步整流的空载和同步MOSFET的Q值关系很大吧/我用一个高Q和低Q的,空载电流相差上百个毫安.
Dear dlinli:
Below is the reply:
1.efficiency list(cpk)
89.135
89.174
89.180
89.198
89.218
89.179
89.191
89.124
89.122
89.172
89.117
89.276
89.206
89.108
89.156
89.253
89.139
89.076
89.219
89.235
89.193
89.273
89.147
89.065
89.235
89.217
89.311
89.170
89.054
89.290
89.196
89.243
89.157
89.121
89.167
89.004
89.225
89.141
89.215
2. Diode: SKY PWR SMT,2,6A,60V,DPAK,12CWQ06FN
3.Mosfet: NMOS,150V,20A,0.063,DPAK,PSMN063
4.Transformer,inductor:EFD20.
6. Forward (active clamp).
7. MOSFET的Q值大,Lose一定 大,特别高压Vds(Qds)时.
0
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timhoo
LV.2
19
2006-08-31 11:43
@liyongzhi
胡来同志:      在我熟知的几百个产品中,全桥电路极少,原因是可靠性较低.大批量生产最重要的是可靠性,有一台坏机赔死你,对于1000W  to4000W,我们主要用interleavingconverter.ITTF代替全桥电路是最李想的.thankyou!
是因为利用了体内二极管而降低了全桥软开关的可靠性了吗?如果把死区的时间调长点呢?ITTF很稳定,但效率是个问题啊
0
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liyongzhi
LV.3
20
2006-08-31 14:22
没人顶,我要哭了
唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔

Dear Dlinli,  Rhett,  Gjhsz ,and胡来:
         I’m hard to say goodbye to all of you!
0
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timhoo
LV.2
21
2006-08-31 16:13
@liyongzhi
没人顶,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli,  Rhett,  Gjhsz,and胡来:        I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!
友情赞助一下,还等着你给我讲解呢.
0
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dlinli
LV.5
22
2006-08-31 20:01
@liyongzhi
Deardlinli:Belowisthereply:1.efficiencylist(cpk)89.13589.17489.18089.19889.21889.17989.19189.12489.12289.17289.11789.27689.20689.10889.15689.25389.13989.07689.21989.23589.19389.27389.14789.06589.23589.21789.31189.17089.05489.29089.19689.24389.15789.12189.16789.00489.22589.14189.2152.Diode:SKYPWRSMT,2,6A,60V,DPAK,12CWQ06FN3.Mosfet:NMOS,150V,20A,0.063,DPAK,PSMN0634.Transformer,inductor:EFD20.6.Forward(activeclamp).7.MOSFET的Q值大,Lose一定大,特别高压Vds(Qds)时.
Great,the data are so charming for me,nearly perfect!
thanks for your messages!Are you in ShenZhen?i am a student from UESTC,hope to be your friends.
0
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dlinli
LV.5
23
2006-08-31 20:34
@liyongzhi
没人顶,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli,  Rhett,  Gjhsz,and胡来:        I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!
are you have some ideas on "双正激"?i havn't meet it befor,it differs from double switch forward,can you explain it for me,if possible pls upload a schematic ?
0
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rhett
LV.8
24
2006-09-01 08:54
@liyongzhi
没人顶,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli,  Rhett,  Gjhsz,and胡来:        I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!
再帮帮你,顶一下.
0
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king_ljun
LV.4
25
2006-09-01 09:16
@liyongzhi
没人顶,我要哭了唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔唔DearDlinli,  Rhett,  Gjhsz,and胡来:        I’mhardtosaygoodbyetoallofyou!
ding!
0
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timhoo
LV.2
26
2006-09-01 10:16
@dlinli
areyouhavesomeideason"双正激"?ihavn'tmeetitbefor,itdiffersfromdoubleswitchforward,canyouexplainitforme,ifpossibleplsuploadaschematic?
用两个正激180度互补导通,输入输出呈现双倍开关管工作频率关系,对那些被动器件的尺寸有帮助.它是全桥的一个很好的替代,如果对效率没特别要求的话.因为没有运用开关管的体内二极管,又是正激架构,可靠性有保证,所以楼主比较推崇这方案
0
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dlinli
LV.5
27
2006-09-01 11:19
@timhoo
用两个正激180度互补导通,输入输出呈现双倍开关管工作频率关系,对那些被动器件的尺寸有帮助.它是全桥的一个很好的替代,如果对效率没特别要求的话.因为没有运用开关管的体内二极管,又是正激架构,可靠性有保证,所以楼主比较推崇这方案
昨天找了点相关资料,是交错级联双管正激,初级是两个双管正激,分别工作在相反状态,如果使用普通的推挽芯片,那么需要驱动,考虑到已经有双变压器和电感,所以考虑用芯片驱动,试问该用哪款芯片?
0
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frank
LV.8
28
2006-09-02 11:38
@king_ljun
ding!
好货!
0
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gjhsz
LV.5
29
2006-09-04 12:37
顶起来,为何PDF档下载不了?
0
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dlinli
LV.5
30
2006-09-25 14:53
@liyongzhi
Deardlinli:Belowisthereply:1.efficiencylist(cpk)89.13589.17489.18089.19889.21889.17989.19189.12489.12289.17289.11789.27689.20689.10889.15689.25389.13989.07689.21989.23589.19389.27389.14789.06589.23589.21789.31189.17089.05489.29089.19689.24389.15789.12189.16789.00489.22589.14189.2152.Diode:SKYPWRSMT,2,6A,60V,DPAK,12CWQ06FN3.Mosfet:NMOS,150V,20A,0.063,DPAK,PSMN0634.Transformer,inductor:EFD20.6.Forward(activeclamp).7.MOSFET的Q值大,Lose一定大,特别高压Vds(Qds)时.
问问你的匝比多少,5VOUT,48VIN的情况下,我现在变压器发热厉害,不知道匝比是否不合适.
0
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dlinli
LV.5
31
2006-09-26 11:08
@dlinli
问问你的匝比多少,5VOUT,48VIN的情况下,我现在变压器发热厉害,不知道匝比是否不合适.
还有你的PMOS管的型号?谢谢!
0
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