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PHILIPS 超牛PCF二级管 Trr<19ns

新型600V超快软恢复的PFC二极管

常年供应免费样品供各位工程师试验测试, MSN&e-mail :emalasa@hotmail.com

引言


在大功率输出的开关电源中,PFC的效率是极其重要的,在输入电桥中,来自AC端通过大电容的脉冲电流不仅含有基波(50获60HZ),而且含有各次谐波成分(主要是奇数倍谐波),这使的功率因数降低,通常约为0.7.

PFC(功率因数效正器)电路可解决上述的问题,如图1所示,在典型的PFC升压电路中,其优点如下:

•体积小
•输出电压大于输入电压(一般输入)
•控制过程简单
•输入电感对AC端信号像一个滤波器
•许多IC控制器可从市场得到
•有0.95或更高的PFC值

在这类电路中主要是用两种类型,即不连续电流模式和连续电流模式,它们的主要区别是:在不连续电流模式中的MOSFET管仅在感应器电流达到零值时导通,而在连续电流模式中,MOSFET管要在感应电流上升到零值以上才导通,因此所有的反向恢复能量必须在MOSFET中被释放.


不连续电流模式


这种控制方法对工作于200W以下的PFC电路较适用,其主要优点是控制过程极其简单,电路组成简单.其较大的峰值电流使之不适用于200W以上的电路,在不连续电流模式中,二极管的开关损耗是可以忽略的,因此可 用快速二极管代替超快二极管.


连续电流模式


这种控制形式普遍用于1.5kW以上的电路中,当二极管被断开时,它的前向电流可能是几个安培,而电流斜率 {dI_{f}}\over{dt}很高({100 250A}\over{ms}),另外,MOSFET管及寄生元件组成的输出回路像一个调谐电路(滤波器),谐振频率由反向二极管电容量及输出电容器的寄生参量决定.典型的谐振频率大约为100MHz,而这将引起EMI辐射.
在这种电路中,升压二极管是最关键的部件,为了避免大功率损耗及EMI(电磁干扰),必须谨慎地选择它.

PHLIIPS公司推出超快软恢复二极管解决了这个问题,这种新型二极管的推出使PFC电路的性能大大改善了.

结束语

在离线式开关电源的连续电流模式PFC升压电路中,采用Philips公司的600V超块软恢复二极管,配合相应的功率管MOSFET使用,可以得到较高的PFC效率,减小了超过30%功率损耗,并降低了EMI而使电路的可靠性得到提高,同时减少了系统成本,使其应用得到有效的推广.
快恢复二极管
BYC8-600    : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8A/600V TO220
BYC8X-600   : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8A/600V TO220塑封
BYC10-600   : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10A/600V TO220
BYV10X-500  : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10A/500V 塑封
BYV29X-600  : Rectifier diode ultrafast, 超快恢复55ns,9A/600V塑封
BYT79-600  :   Rectifier diode ultrafast, 超快恢复55ns,15A/600V TO220

常年供应免费样品供各位工程师试验测试, MSN&email :emalasa@hotmail.com
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emalasa
LV.2
2
2006-09-05 15:09
自己顶一下,
昨天晚上发的帖子,今天有两个兄弟问我样品,已经寄出去了,
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snowxu
LV.2
3
2006-09-06 13:39
@emalasa
自己顶一下,昨天晚上发的帖子,今天有两个兄弟问我样品,已经寄出去了,
兄弟,你知道QSPEED的产品吗?现在大家看重是QRR,而不是TRR了,我们600V,5A的QRR可以做到27NC,反向电流1.6A,我们可以降低MOSFET的温度,我们主打是SIC的.
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LV.1
4
2006-09-06 15:47
@snowxu
兄弟,你知道QSPEED的产品吗?现在大家看重是QRR,而不是TRR了,我们600V,5A的QRR可以做到27NC,反向电流1.6A,我们可以降低MOSFET的温度,我们主打是SIC的.
SiC的产品应该非常贵吧,除了一些要求非常严格的地方,其他的好象很少看到应用把.
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emalasa
LV.2
5
2006-09-07 21:11
@snowxu
兄弟,你知道QSPEED的产品吗?现在大家看重是QRR,而不是TRR了,我们600V,5A的QRR可以做到27NC,反向电流1.6A,我们可以降低MOSFET的温度,我们主打是SIC的.
哥哥,您那个是IGBT,弱弱的问
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powerbook
LV.5
6
2006-09-08 10:19
@snowxu
兄弟,你知道QSPEED的产品吗?现在大家看重是QRR,而不是TRR了,我们600V,5A的QRR可以做到27NC,反向电流1.6A,我们可以降低MOSFET的温度,我们主打是SIC的.
sic的价格是多少
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snowxu
LV.2
7
2006-09-11 10:47
@
SiC的产品应该非常贵吧,除了一些要求非常严格的地方,其他的好象很少看到应用把.
你说的一点不错,但是他的效率是最好的,而且电源密度是最好的,600V/10A的要4USD,而我们的产品价格是其的一半,而且我们能够使MOSFET的温度降低5-10度.我们的QRR做到27,反向电流1.6A,现在只有我们一家能够做到,而且我们还做到内部绝缘.
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snowxu
LV.2
8
2006-09-11 10:49
@powerbook
sic的价格是多少
600V/10A  USD4.00这可是大客户的价格呀
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snowxu
LV.2
9
2006-09-11 10:53
@
SiC的产品应该非常贵吧,除了一些要求非常严格的地方,其他的好象很少看到应用把.
哥哥,是否能留下你的联系方式?
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emalasa
LV.2
10
2006-09-14 18:41
@snowxu
600V/10A  USD4.00这可是大客户的价格呀
炭化硅的价钱是快恢复的10几倍,
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emalasa
LV.2
11
2006-09-22 17:42
@emalasa
炭化硅的价钱是快恢复的10几倍,
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2006-10-12 23:33
@snowxu
哥哥,是否能留下你的联系方式?
本公司代理的CREE产品,是由政府出资的,开发的产品SiC材料提供给美国军方,同时近几年也买给Osram,英飞凌,ROHM等本导体厂家.可以用来生产LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近几年现在我们的一些产品也可以转为民品在市场上销售,并得到广大知名电源的厂家的关注,本公司可以为广大大功率电源厂家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二极管,在附件中有肖特基二极管的选择相关资料供大家参考.
由于SiC的势垒为3.3EV,Si的势垒为1.1EV,这是SiC和Si本身特性的差异.这种特性导致他们的物理特性不一样,如SiC的导电率是Si的3倍,致使能承受更大的电流,能带隙是Si的3倍,致使能承受更高的温度;10倍于Si的溃崩电压,在相同的电压时,有更低的内阻,更快的响应速度.1160660508.pdf 回复第10帖     编辑     好评     差评  

colinzhou0504:   第11帖         [今天 22:36] 一    
    由于这些特点,加上肖特基本身的特性,是单极性的N极.故在高温,高压时都保持良好的电气特性.致使它更适合在高压高温的条件下使用,如大功率的电路中PFC的电路中,有人认为SiC的价格高,实际上并不是这样,首先,他可以用来代替大电流的快恢复二极管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3产品.由于肖特基本身的特性,可以增加电路的频率,减少开关损耗,由于高能带隙,能降低系统的温度,能够减少磁环的磁通量,减少电容值,降低Mosfet的负载,减少电路的EMI,使电路更容易的通过EMI测试.减小PCB的面积.基于以上优点,现在已经为最大的电源厂家台达,TYCO等单位使用,应用于200W以上的电路尤为明显,降低了系统的温度20~40度,功耗,成本.
如须更多的了解和服务,请与我联系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com
同时我们还代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的产品,涉及LED驱动,LED,IR,LASER,OLED的产品.
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2006-10-12 23:43
@emalasa
炭化硅的价钱是快恢复的10几倍,
要看方案的总成本,不可以看一个点.留个资料供大家参考!1A的SIC可以代替8A的快恢复二极管,可以用在高达300W的电路上,还是要多学点知识! 如须更多资料或样品,欢迎与我联系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com1160667484.pdf
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