单端反激 输入低压问题

你开关管的耐压用多少的,尽量选导通电阻小的管子,推荐IRF640(200V耐压)

占空比不合适

驱动有问题吧,

输入9~36V 输出5V/3A 开关管耐压使用100v 9A的管子(以及另一款100V 15A) 3843反激 占空比0.45 初级圈数6T 初级电感量6uH(漏感90nH)
次级5T 反馈10T 结果MOS相当烫 看VDS波形很正常(梯形波) 工作在CCM模式 但是就是温升过高80度 单端反激是否不适合做低压输入的呢?

你的3843的供电电压过低.导致MOS导通内阻过大.你应该把守3843供电提高

有道理

毙掉

9-36V这样宽的输入范围,占空比在低端(9V)时应大于50%

但是此产品是必须能在长时间在vin=9v低压时能满载工作且环境温度能在71度  占空比大于50%时是否能满足这些条件呢?

我有測量過3843的vcc在Io=10%~100%之間時的VCC=10~13V
3843的DATA SHEET中好像大於8.5V就能工作了
且我的供電電壓是由一個22歐姆及10uF/16V電容組成 不過在15W的產品中是否足夠呢?

IRF3910做该电源足够了.

推荐用IRL540,低栅压、逻辑电平MOS管.我用它做8-48V输入,15W反激效果很好.

请问你用IRL540于输入9v时 MOS的温升大概多少呢?整体效率多少?(输入9V低压下)
因为我有空间的限制 所以只能使用D-PAK的封装mos

体积要做多大的呢?要不你先换IRF540S看一下吧,也是贴片的,不过是D2PAK,你得考虑改伴了.3843在你用的供电范围内对这个单管是可以直驱没问题的,原来你用的导通电阻大.另外,你做的效率的确有些低了.

我用的case size是 50.8*25.4*10.2mm 铜壳
请问一下 一般mos的ID电流要比初级电流大几倍才行呢?
我用的一款mos(55V 16A)还是很烫 效率大概只有68%(VIN9V时)
于VIN9V 15W换算 初级电流7.4A左右 应该足够呀 为何必须选用到IRL540呢? 还是裕量能愈大愈好呢? 不过最头疼还是温升及效率问题呀.. 15W不需用到正激方式吧....

我手上有IRF540N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf
可是用了之后 MOS更烫 效率更低...是不是驱动力不足呢? 而我用的3843是 http://www.micrel.com/_PDF/mic38C42.pdf
如果要看驱动是否足够是要看http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf的哪方面数据呢?
我刚入这行不久 还有很多要摸索的 希望能给小弟些指导

主要是因为MOS管阻抗与耐压相矛盾.将MOS管换成TO-220大小封装的,外壳又太小,另15W的输出功率用这样小的铜壳没有90左右的效率老化很可能会出问题,建议你换大一点的铜壳.

换正激吧,做到15W还是没问题的,什么客户用啊,让他们在散热方面想想办法.

请问一下tired前辈 一般反激是否不适合于输入低压的模式呢? 一般输入9v输出15w用正激 效率及温升大概会多小呢?

看完你的贴子,建议:
   1:你的模块电源用的环境温度很高,高达71度(你自己说的哈).赶快将3843换为2843或1843.
      同时所选元器件(包括PCB板)要注意其温度指标
   2:焊膏要选高温焊膏
   3:你的外型尺寸较小,建议输出用同步整流,以提高效率,增强可靠性.
   4:如果可行的话,建议用单端正极,因为其输入电流峰值较单端反极小,MOS管的损耗相对较小,以及输出用自驱动的同步整流也容易.
   5:MOS管用IRF540N/TO-220.

以上仅供参考,祝你好运!!!!

我想問一下老兄,你用3843做Vin18V~36V輸入時,你做的功率有多大呀?有沒有做過Vout3.3V/7A的,如有,其頻率是多少!因為我有做一個,但其18V的效率只有45%,我做的頻率為43K.請幫忙一下!我MAIL是sgh@net-star.com.cn

你可以用个供电绕组,使3843的供电始终在15伏左右.
另外限流保护也影响效率,要有1伏压降,对9v输入是很大的

谢谢各位前辈的建议 我会试着foward的方式制作

反激做到4.5V也有啊,不过1x2英寸体积,用to-220的好象不现实,可以选择DPAK特性好的管子,效率应该不会低于80%吧,可能会更高,好久不做这个东西了记不清,肯定能做出来的.象有人说的那样,要用同步整流.至于有人18V/20W效率45%,我认为,捷径就是买别人的,看别人怎么做的,别自己摸索了.

abc前辈 似乎mos那1伏的压降 就是影响单端反激低压输入时的效率主因
不过我用示波器观察3843输出波形时 于低压时 似乎推不太动irfr120n
了 已经变形了 一般应该要方波 结果变成了一大一小的方波了.......
我想是推不动mos 造成mos过热而影响效率 这款MOS应该很容易推动呀 之前18~36V都OK 只能低压输入才这样 但是我设计这一款VIN9~36v
Vout5v 3a 初级电感6uH Np:6T Ns:3T Nb:9T Fs:350khz 时就出现这问题了

然而会影响到推动MOS的驱动能力 有哪些呢?
输出整流管不加回复电容有差别吗?

你的频率太低了!!!做DC/DC模块频率常取250K--350K.
另做多大的功率跟3843没关系.

dbing前辈 最近我用了单端正激试做了一款vin18~36v vout5v 3a
效率有81% 但是mos似乎还是太烫 之前看你的回贴说正激的输入电流峰值较单端反激小所以mos的损耗较小 但是最近我的实验情况似乎只有比反端好一些些而已..不知道此二种拓朴实际上Ip的大小如何?
看了些书籍这二种的ip也都差不多  只是储能电感的使用情况不同
然而在这客户限定的铜壳内  非不得已才能使用push-pull的方式......
但成本实在是有点高且如果要双输出layout更难  希望前辈能再指点些正激的方法

有这样的通用产品,2x2英寸

需要隔离吗?若不需隔离用BUCK最好呀.

目前输入18~36v 虽然正激效率比反激好一些 但是mos的温度还是太高了
就算用IRF540N也是会升到100度 .....且加RCD也有将尖波降下 看了许多书藉似乎反激与正激的初级电流Ipk都差不多高...mos的温度问题快把我搞疯了  希望各位高手能指点一二