问一比较“弱”的问题,关于变压器饱和的?

不一定.
變壓器計算公式推導一下吧.

要看什么线路,若是RCC的就不会,RCC低端更容易饱和因为它工作在临界模式.

单端反激开关电源,DCM,QR方式.有人告诉我说高压更容易饱和,我不知道为什么?能解释一下吗???

若从公式来看是不会变的,但由于考虑到高压时线的温度高了,所以Bs降低了.对CCM来说从公式来看低压更容易饱和(不考虑Bs变化的情况).

不明白为什么线温高了?

Bs的降低不是线的温度引起的,而是磁芯本身温度升高了引起的.
给个公式看看就会明白了,为什么单端反激在高端更容易饱和(个人认为).BS=LP*IP/AE*NP

饱和值Bs是磁心的特性,为什么和L,A,P 等有关?

这里的Bs是变化的Bs,我们是用它来去和磁芯特性中的Bs比较.比如说PC40磁芯,120度时的Bs为3500(它是固定的).我们计算出来的是在电路中实际的,再去和3500比较,大于3500就会饱和.

可是Ip(或工作中Bs)在DCM时是不变的,跟输入电压在高低端没关系呀.

Ip=2Po/Vin*D
跟输入没关系吗?

个人觉得你的第7帖的关系式有误,还有第11题应该是IP=2Po/Vinmin*Ton吧?

请指正第7贴的公式,我们可以推一下.IP不会有错,其实是Ip=2Po*T/Vin*Ton,  T/Ton不就是1/D吗?所以Ip=2Po*T/Vin*D没错!

错,D和T各是一个概念.D是一个比例,T和Ton的单位是us.如果T/Ton=1/D那么代入数字计算一下还对吗?
BS是当磁芯中磁场强度H增加,磁感应强度出现饱合时的B值,可以看出BS是在温度范围内的一个固定值.
根据磁芯在工作磁感应强度时的单位体积损耗,的工作磁感应强度可以用:BW=(VS/4.44*F*N*Ae)*1M (mT),可以看出磁芯在高压时的BW比低压时的BW大.

你没发觉Vin*D乘积是不变的吗 ? Vin大则D小,Vin小则D大.

兄弟,变压器的线和磁芯是一个整体的,在这里(DCM)里BS是不变的,这个你好好看看.

这个公式对高频的好像不是用吧,第七帖的公式没有错.

VIN的变化和D的变化是线性变化的吗?

D是一个比例没错,但D的比例是由TON/T而得来的,代入公式去有错吗?我这样只是为了估算方便.

储存能量=1/2 *Lp*Ip^2 ,如果功率不变的话,Ip是不变的,所以根据Ip=2*Po/Vin*D, Vin*D是个固定值.

你意思是线温先高了,然后磁心温度受影响跟着上升,导致Bsat下降 ? 能否解释为什么线温会首先高了 ?

简单,线温升高主要是因为电流峰值高.变压器工作为非连续状态.

我们讨论的是,输入电压高低,对IP的影响.IP=2*P/VIN*D,VIN*D的值在输入电压和输入电压低时是不相等的.虽然VIN大D小,VIN小D大,但它的变化不是线性的,所以,IP还是会变化的.也可以测试得到,在高端和低端输入的时候,IP明显不同.

QR方式电源的开关频率是变化的,而且QR动作时一定是工作在DCM模式下的(某些IC在启动时可能工作在PWM下).所以QR的电源一定是低压更容易饱和.

那您的意思是D=Ton?

技术方面严谨一点比较好.

以为讨论的是DCM时的理想情况,20贴的推导是没问题的.

是你想得太简单罢了,要看电流的有效值,不是峰值.

正常工作肯定是低输入电压的时候Id更大了.如果是刚通电瞬间呢??会不会占空比不受空和低压一样,那么Idp＝VxTon/L,V越大I容易饱和呢

不好意思,是我说错了.是有效电流.

BS是磁芯的一个参数,但是它是随温度的变化而变化的.我们所讨论的是变压器工作时的磁感应强度,它的BS是随LP,NP,IPK的变化而变化的.