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关于MOS管的一种说法!高手请进~~

以前,我听别人说过这样一个问题,MOS管截止状态比导通状态所需要的驱动功率要大,这种说法对吗?自己也没办法做实验!
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ldfa
LV.4
2
2006-12-31 17:45
没这个说法.
MOSFET的驱动功率主要是控制栅的电容的充放电的功率,充和放是一样的.这个功率与结型三极管的驱动功率相比,是非常非常小的.
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紧闭〖双眼〗
LV.4
3
2007-01-03 14:21
@ldfa
没这个说法.MOSFET的驱动功率主要是控制栅的电容的充放电的功率,充和放是一样的.这个功率与结型三极管的驱动功率相比,是非常非常小的.
哦   我也是听说的
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紧闭〖双眼〗
LV.4
4
2007-01-04 11:30
@ldfa
没这个说法.MOSFET的驱动功率主要是控制栅的电容的充放电的功率,充和放是一样的.这个功率与结型三极管的驱动功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特别留意了一下各个MOS管的PDF资料,发现测试条件一样的情况下td(on)
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紧闭〖双眼〗
LV.4
5
2007-01-04 11:33
@ldfa
没这个说法.MOSFET的驱动功率主要是控制栅的电容的充放电的功率,充和放是一样的.这个功率与结型三极管的驱动功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特别留意了一下各个MOS管的PDF资料,发现测试条件一样的情况下td(on)
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紧闭〖双眼〗
LV.4
6
2007-01-04 11:35
@ldfa
没这个说法.MOSFET的驱动功率主要是控制栅的电容的充放电的功率,充和放是一样的.这个功率与结型三极管的驱动功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特别留意了一下各个MOS管的PDF资料,发现测试条件一样的情况下td(on)均小于td(off),不正说明了MOS管截止比导通更难吗?
晕,发表话题时,怎么不能打小于符号呢?
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ldfa
LV.4
7
2007-01-04 11:45
@紧闭〖双眼〗
但是我今天特别留意了一下各个MOS管的PDF资料,发现测试条件一样的情况下td(on)均小于td(off),不正说明了MOS管截止比导通更难吗?晕,发表话题时,怎么不能打小于符号呢?
是这么回事,这是因为沟道的形成与截断的速度不同.
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紧闭〖双眼〗
LV.4
8
2007-01-04 12:13
@ldfa
是这么回事,这是因为沟道的形成与截断的速度不同.
也就是说,如果要让 td(on)=td(off),那么就要加大驱动MOS管截止状态的功率.当然td(on).td(off)越小越好.
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ldfa
LV.4
9
2007-01-04 15:02
@紧闭〖双眼〗
也就是说,如果要让td(on)=td(off),那么就要加大驱动MOS管截止状态的功率.当然td(on).td(off)越小越好.
不对不对.驱动MOS管的功率与这个Td(on)/Td(off)无关!驱动MOS管的功率只与控制极(栅极)的电容和控制极电压有关.导通时间与截断时间是材料参杂后的性质有关.
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紧闭〖双眼〗
LV.4
10
2007-01-04 17:00
@ldfa
不对不对.驱动MOS管的功率与这个Td(on)/Td(off)无关!驱动MOS管的功率只与控制极(栅极)的电容和控制极电压有关.导通时间与截断时间是材料参杂后的性质有关.
我的主要意思是   MOS管结电容是个固定值,驱动MOS管的功率越大,充放电速度越快.现在将驱动MOS截止的功率提高,也就是加快MOS管结电容放电的速度,即MOS管截止所须的时间比导通短,这样与td(on)也许这样做意义不大吧!
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