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EMI 好大的疑惑
EMI 好大的疑惑
在测试 CHAMBER 时, RCD 箝位
其D , 使用的为 超快速回复二极管
其 Trr 时间为 250 Ns 以下
请参考附图
我使用,同一厂牌,同一编号,同一批生产的快速二极管做试验
我的adaptor 也是同一颗,但却得到两个不同的答案
两颗二极管寄给厂商分析后
其测得的规格都一样,只有 Trr 时间不同
EMI 测试较差的 其 Trr 为 88nS
EMI 测试较好的 其 Trr 为 171nS
其结果,令我相当迷惑
在我的认知,应该是回覆速度快的,其抑制杂讯也会较好才对
还是认知错误
请各位老大位小弟解迷惑吧
谢谢
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smps
LV.6
2
2004-10-08 17:02
Cj一样吗?
也很重要的
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djin
LV.2
3
2004-10-08 17:08
看看MOSFET上Spike的是否小了
由于trr大吸收了部分的spike的能量,减缓了dv/dt和di/dt
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5034
LV.2
4
2004-10-11 11:57
@smps
Cj一样吗?也很重要的
原厂没有测试,我不知道
请问,Cj影响很大吗?
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5034
LV.2
5
2004-10-11 12:00
@djin
看看MOSFET上Spike的是否小了由于trr大吸收了部分的spike的能量,减缓了dv/dt和di/dt
那,是不是使用一般的二极管会更好吧?
如果温度不考虑的话
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huxiangrong
LV.2
6
2004-10-11 13:15
@5034
那,是不是使用一般的二极管会更好吧?如果温度不考虑的话
對EMI來講 , 當然是Trr較大較好 . EMI的產生源往往來自一些高頻開關零件 , 線路上的寄生電感電容產生的瞬間電壓電流的孌化 , 即我們通常講的di/dt , dv/dt . 你可以看到其它產品上 , MOSFET , 整流DIODES的PIN腳上常有人加上小的磁珠 , 就是用來抑制這些東西 . 你也可以試試 , 但注意要點一下thermal .
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