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IR2110驱动MOSFET逆变桥问题探讨

小弟采用IR2110驱动MOSFET逆变桥,电路按照IR2110技术资料设计,但是在调试过程中MOSFET被击穿的情况下,Vs,COM两个教出现大电流造成驱动片也被烧坏.请教各位高手,可能会是什么原因造成,是否遇到过类似的问题? 是否和芯片外围电容选择有关?
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zj651020
LV.1
2
2004-10-16 22:20
你发原理图过来看看,我也在用IR2110,但我没出现你这种情况.
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zzdqzzdq
LV.4
3
2004-10-25 00:22
抗干扰能力差,我们厂在研制数字纯正弦波逆变电源时,曾试用过IR2110、IR2104、HIP4081等芯片,由于芯片内部泵升压电源抗干扰太差,使研制工作走了弯路.现已采用传统的TLP250光耦进行隔离驱动,效果佳.现已量产.0517-5231806周鑫森,江苏淮安经济开发区东鑫电子器材厂
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abc_abc
LV.4
4
2004-10-26 21:49
到IR西安技术中心的网站看看,上面可能有你问题的答案,我也遇到过类似问题
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qsy13851528259
LV.4
5
2005-03-14 14:45
@zzdqzzdq
抗干扰能力差,我们厂在研制数字纯正弦波逆变电源时,曾试用过IR2110、IR2104、HIP4081等芯片,由于芯片内部泵升压电源抗干扰太差,使研制工作走了弯路.现已采用传统的TLP250光耦进行隔离驱动,效果佳.现已量产.0517-5231806周鑫森,江苏淮安经济开发区东鑫电子器材厂
响应太慢
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世界真奇妙
LV.9
6
2005-03-14 19:13
IR2110(包括IR2153等),使用时应注意满足如下条件,否则极易损坏.

VHO小于VB+0.3 , VHO大于VS-0.3
VLO小于VCC+0.3 , VLO大于COM-0.3
.
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ken21cn
LV.8
7
2005-03-15 23:39
VS端和半桥间的杂散电感造成.VS端的负脉冲超过VS-VB的值.
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ken21cn
LV.8
8
2005-03-15 23:40
@zzdqzzdq
抗干扰能力差,我们厂在研制数字纯正弦波逆变电源时,曾试用过IR2110、IR2104、HIP4081等芯片,由于芯片内部泵升压电源抗干扰太差,使研制工作走了弯路.现已采用传统的TLP250光耦进行隔离驱动,效果佳.现已量产.0517-5231806周鑫森,江苏淮安经济开发区东鑫电子器材厂
显然没有根据
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decbird
LV.1
9
2005-03-17 14:33
@ken21cn
VS端和半桥间的杂散电感造成.VS端的负脉冲超过VS-VB的值.
请问2110是不是必须先输出LO?我的HO输出上升沿有很高的脉冲是怎么回事啊??
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ken21cn
LV.8
10
2005-03-17 22:30
@decbird
请问2110是不是必须先输出LO?我的HO输出上升沿有很高的脉冲是怎么回事啊??
是的.LO先导通是HO产生的必要条件,LO通是为了给电容形成充电回路.
至于上升沿的尖峰,请贴出电路再分析.
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