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單端反激變壓器參數計算問題.

請大家幫忙看看哪步算法有誤.
初級圈數達到163T?1170209432.pdf
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room
LV.4
2
2007-01-31 12:17
頂一下.
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海之源
LV.6
3
2007-01-31 13:51
可以用CR6848 1170222586.doc   單端反激變壓器參數計算 资料
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powerpcb54
LV.5
4
2007-01-31 15:53
几十瓦的反激,初级吸有几十圈吧
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room
LV.4
5
2007-01-31 15:55
@powerpcb54
几十瓦的反激,初级吸有几十圈吧
一般不是都只有30~40圈的樣子嗎?
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hxzyb
LV.5
6
2007-02-01 00:26
@room
一般不是都只有30~40圈的樣子嗎?
对
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lisso8
LV.2
7
2007-02-01 00:42
@hxzyb
对
NP不对,
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hxzyb
LV.5
8
2007-06-23 11:52
PDF档第四项计算错误,往下的计算方法就都错误
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wfc0312
LV.5
9
2007-06-23 15:36
楼主啊.为啥我算出来也要100T啊.奇怪啊奇怪..你选的磁心也太小了吧..最少也来个28的啊.28的ae好象是82..那个的话还差不多..而且我计算时选的Bmax=0.15..如果0.21的话估计在72T左右.
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wfc0312
LV.5
10
2007-06-23 15:47
@powerpcb54
几十瓦的反激,初级吸有几十圈吧
我这里一个8w的反激...初级140T...牛吧..批量了很多了..
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robertyu
LV.6
11
2007-06-23 17:04
@wfc0312
楼主啊.为啥我算出来也要100T啊.奇怪啊奇怪..你选的磁心也太小了吧..最少也来个28的啊.28的ae好象是82..那个的话还差不多..而且我计算时选的Bmax=0.15..如果0.21的话估计在72T左右.
建议楼主采用以下圈比试试:
NP＝70TS
NS1(12V)＝10TS
NS2(5V)＝4TS
NVCC(15V)＝12TS
L＝550UH
MOS耐压＝600VDC＝VOR+VINDC(MAX)+100V
如还有问题,再联系我.
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与非门
LV.1
12
2007-06-24 10:32
@robertyu
建议楼主采用以下圈比试试:NP＝70TSNS1(12V)＝10TSNS2(5V)＝4TSNVCC(15V)＝12TSL＝550UHMOS耐压＝600VDC＝VOR+VINDC(MAX)+100V如还有问题,再联系我.
这是不连续模式的计算公式,算出来初级圈数会很大
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张克克
LV.6
13
2007-06-24 11:26
@与非门
这是不连续模式的计算公式,算出来初级圈数会很大
搞反了吧?DCM应该是Lp小匝数少啊
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hxzyb
LV.5
14
2007-06-26 22:10
@hxzyb
PDF档第四项计算错误,往下的计算方法就都错误
po=24w+10w=34w F=80k DAX=0.45 TON=5.6 EE28 AE80
IP=2PO/(VIN*%*1.8*DAX)=1.04A
L=TON*VIN/IP=560UH
N=TON*VIN/AE*BM=35T
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room
LV.4
15
2007-07-11 11:21
@robertyu
建议楼主采用以下圈比试试:NP＝70TSNS1(12V)＝10TSNS2(5V)＝4TSNVCC(15V)＝12TSL＝550UHMOS耐压＝600VDC＝VOR+VINDC(MAX)+100V如还有问题,再联系我.
因為用EE25的鐵芯無法繞下.
現已修改為EI28.
各參數如附檔中.
請大家看看是否有問題. 98531184124081.pdf
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power&inverter
LV.1
16
2007-07-29 17:40
@wfc0312
我这里一个8w的反激...初级140T...牛吧..批量了很多了..
难以置信
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hepeter
LV.5
17
2007-07-30 12:02
@room
因為用EE25的鐵芯無法繞下.現已修改為EI28.各參數如附檔中.請大家看看是否有問題.98531184124081.pdf
对于你计算公式中4.1及4.2两步骤有点不同意见:
1)4.1式计算的是DCM模式下的Ip自然Lp的计算也应是DCM模式下的Lp
而你4.2式却是用CCM的模式来计算Lp值的.
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电源照宝
LV.8
18
2008-05-02 15:32
@海之源
可以用CR68481170222586.doc  單端反激變壓器參數計算资料
顶一下.
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