求助达人:MOSFET居然栅漏极击穿??

你Vgs的耐压是多少?

就只实验了一次吗???????

连DSP都坏了,Vgs上的电压肯定超过了.

显然D有严重过压,栅内阻又高,给干掉了．

xkw1老师能说的详细点吗?如果,D端电压过高,那么漏源极也肯定打死啊;为何仅仅栅漏打死而漏源完好呢?还有,栅漏打死后,是怎么烧坏IC的?困惑!
请帮忙解答下!谢谢!

最好先看下VGS有没有超过MOS管的最大值,只要超过了最大值,哪怕是极短的时间,也会造成对栅极氧化层产生永久的损坏.还有就是IC的输出与MOS管栅极的引线要越短越好.引线太长,它们之间存在的电感会容易使VGS电压引起振荡,使它的值超过最大限定值,可以在GS端加一稳压管来防止这种问题产生.

MOSFET是由很多个小管子并联组成的,我们把每个小MOSFET叫做胞.每个胞的栅都要通过多晶硅连到输出引线上.每个胞的栅到引线的距离不一样,电阻也就不同了,距离近的几乎为零,远的有几十欧,我们称为栅寄生电阻.
如果MOSFET关的很快的话,远处胞的栅上感应的密勒电流会很大;栅寄生电阻上产生的电压会很高,有可能干掉胞的栅源的绝缘,导致栅源短路.当然;这电压同样也有可能击穿栅漏绝缘.
栅漏击穿后,漏极的高压大电流会灌入驱动器,导致驱动电路损坏.

大侠真厉害!MOSFET工艺也熟!

请问如果 是GS脚击穿，其他脚微击穿！  IC  CS电阻也烧了！请教这样 是什么问题引致的？！

我的PMOS管的栅极和漏极发生了短路情况，栅源却没有短路，VGS耐压20V，漏源两端还没有加电源和负载，仅仅是加了栅极电压，很奇怪。和你的情况类似，你后来找到原因了么？