肖特基没有反向恢复时间，而所有双极型二极管都有反向恢复问题。它是在二极管正向导通电流IF关断时刻，由于少数载流子存储效应不能立即消失，还能在短时间trr=ta+tb(图3.3)流过反方向（即由
阴极到阳极）电流，这个时间trr 叫做反向恢复时间。图3.3图解了这个异常现象。在ta时间内反向电流上升到最大值，在变压器的漏感和引线等寄生电感中存储能量(图3.4)，此后（tb），二极管开始截止，迫使电路中电流减少，存储在电感中的能量释放，与相关电路分布电容形成振荡，产生严重的振铃现象，这对变换器效率、电磁兼容造成极大影响。根据反向恢复时间将二极管的分成不同等级（普通整流管、快恢复，超快恢复等等）。高频变换器在输出级峰值电压50V以上总是采用超快恢复二极管，50V以下采用肖特基二极管。输出电压低时采用同步整流MOSFET。同步整流的MOSFET的体二极管恢复速度很慢，通常大约为1μs。它不适宜作为整流管。这就是为什么通常用肖特基与同步整流MOSFET管并联：在MOSFET关断时肖特基流过几乎全部电流，这意味着体二极管不需要反向恢复。
快速二极管损耗小，是否越快越好？但是如果是电网整流二极管用超快恢复二极管不是好主意。问题是快恢复时间产生快速下降沿，引起电磁干扰。在这种情况下，最好还是采用普通的恢复时间5~10μs的整流管。
高电压定额二极管比低电压定额的二极管有更高的正向压降和较长的恢复时间。这就是为什么在满足电路要求的前提下，尽可能选择较低定额的整流管。大电流定额的二极管比小电流有更长的恢复时间，大马拉小车也不是好主意。
