1.减小栅极电阻
2.加强驱动能力
3.加快栅极电压泄放速度
4.选择适合耐压和适合的电流的开关管
5.尽量选内阻较小的开关管
如果使用MOS,GS驱动电压8V以上可以认为完全导通,如果用IGBT,请查看相应型号的驱动电压。
如果电压满足,还得注意驱动电压上升和下降的斜率。