MOSFET 开启关断延时

最近做PMOS和NMOS的驱动实验发现开启可关断延时相当严重，达到了数微秒，而其datasheet上说的只有几十纳秒；小弟分析了半天没搞明白，还请大侠们指点一二。

如附件中是，驱动栅极和ID波形，以及驱动电路和两个mosfet的其中PMOS为IRF7425，NMOS为IRF7457.

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2013-06-16 17:25

驱动电路本身就有问题（其中PMOS的图更离谱），参考下手册给的时延测试电路，实际电路的时延往往很难达到理想状态。

LV.8

2013-06-17 11:13

且不看电路,你的pwm 爬升速度是否够快,驱动能力是多少?

LV.3

2013-09-02 11:13

@ymyangyong

驱动电路本身就有问题（其中PMOS的图更离谱），参考下手册给的时延测试电路，实际电路的时延往往很难达到理想状态。

呵呵，是电路画错了实验时接法是没问题的\如图

其datasheet测试电路与我的接法也无异，如图

LV.3

2013-09-02 11:14

@rainever

且不看电路,你的pwm爬升速度是否够快,驱动能力是多少?

哦对也许是驱动电流太小了，当时测试时也没把探头直接接在G极而是接在了前面的限流电阻 so

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