不好意思,贴子下去了,只好改个名字,以前的图我都删了(行不通),现在的图以试验,可行的,而且输出带同样的负载,我用快恢复二极管也试了,二极管的温升明显比MOS管温升大的多,但有个问题Q5,Q6我用A1013没有问题,但改成S8550就不行,发热一会就烧了,请教各位大侠是什么原因,是S8550耐压低吗?
按这图我有一个想法:如果做全桥的话,做一个变压器六组输出,分别控制前级全桥MOS管和后级整流MOS管,可否能行呢
确实是耐压问题,我换成2N5401 160V耐压的,和A1013一样的耐压的,就没有问题了,效率吗,肯定是要大,因本人只是爱好电子,没有专业的仪表,只能用温升来确定,输出带同样的负载(电流12A),220封装的二极管2秒后就烫手,MOS管就不会烫手,只是MOS导通有大约50NS的延时导通和关断,我有这样的想法:MOS管内也有一个二极管,他的电流也是很大的,如果在50NS的延时内压降0.7V,50NS过后可以看成MOS管软启动,请教大侠们这样有不有道理
还请高手来完成这图效率试验,本人新手能力有限