如题,请问各位师傅,24V 升压到150V 2A,直接一级boost可以做到吗?
还有就是 如果用单管igbt做开关管,igbt的驱动电压要不要考虑负压关断,想驱动电路简单一点,直接PWM驱动行不行?
这个用boost肯定可以,升压比确实比较大,驱动要做好,用mos管应该就可以了,不需要igbt吧,igbt的话,频率太低,电感会很大
更好的办法是用推挽
可以的,mos管就能做到
按他要求理论占空比0.84,考虑非线性等因素应该要更高一点,如果给的pwm能>0.95,频率稍低点,一般mos管延时是ns级的,还是有希望实现的吧?
准备用494做控制IC的,不知道行不行,我也算了一下,这个占空比确实有点大
各位大师都觉得推挽好做一点额,如果输出电压做成100V到150V可调的话,电路的反馈有没有什么问题,用431能不能做到?
请问各问首长,如果我使用两级BOOST串联,采用一个IC同时驱动两级的两个MOS管,然后第一级因为电流大,使用小电感不顾及纹波,最后再LC滤波会有什么不足吗?
好处在于在大电流处使用了小电感(第一级BOOST),在小电流时使用了稍大的电感,总得来说会不会磁性材料用得体积更小?
学生问个问题。。。望各位解答。