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请问各位师傅,24V 升压到150V 2A,直接一级boost可以做到吗?

如题,请问各位师傅,24V 升压到150V 2A,直接一级boost可以做到吗?

还有就是 如果用单管igbt做开关管,igbt的驱动电压要不要考虑负压关断,想驱动电路简单一点,直接PWM驱动行不行?

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2013-08-02 17:48

这个用boost肯定可以,升压比确实比较大,驱动要做好,用mos管应该就可以了,不需要igbt吧,igbt的话,频率太低,电感会很大

更好的办法是用推挽

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123sky
LV.2
3
2013-08-02 17:54
@rj44444
这个用boost肯定可以,升压比确实比较大,驱动要做好,用mos管应该就可以了,不需要igbt吧,igbt的话,频率太低,电感会很大更好的办法是用推挽

可以的,mos管就能做到

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whutheyi
LV.3
4
2013-08-02 18:37
@rj44444
这个用boost肯定可以,升压比确实比较大,驱动要做好,用mos管应该就可以了,不需要igbt吧,igbt的话,频率太低,电感会很大更好的办法是用推挽
主要是没有做过推挽的电源,以前老师说推挽 电流连续和不连续 系统的模型不一样,不好做反馈环,有这样的问题吗?
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zhenxiang
LV.10
5
2013-08-02 22:36
@whutheyi
主要是没有做过推挽的电源,以前老师说推挽电流连续和不连续系统的模型不一样,不好做反馈环,有这样的问题吗?
不行。升压比这么高 计算过要多少的占空比吗  你用的PWM信号能给到多大。驱动和MOS的延时时间有多少
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123sky
LV.2
6
2013-08-03 09:37
@zhenxiang
不行。升压比这么高计算过要多少的占空比吗 你用的PWM信号能给到多大。驱动和MOS的延时时间有多少

按他要求理论占空比0.84,考虑非线性等因素应该要更高一点,如果给的pwm能>0.95,频率稍低点,一般mos管延时是ns级的,还是有希望实现的吧?

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2013-08-03 10:24
@123sky
按他要求理论占空比0.84,考虑非线性等因素应该要更高一点,如果给的pwm能>0.95,频率稍低点,一般mos管延时是ns级的,还是有希望实现的吧?
这个升压比还是没问题的,频率取得适当就行,不过电感电流很大,到最后电感估计比推挽变压器还大
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whutheyi
LV.3
8
2013-08-03 11:24
@123sky
按他要求理论占空比0.84,考虑非线性等因素应该要更高一点,如果给的pwm能>0.95,频率稍低点,一般mos管延时是ns级的,还是有希望实现的吧?

准备用494做控制IC的,不知道行不行,我也算了一下,这个占空比确实有点大


各位大师都觉得推挽好做一点额,如果输出电压做成100V到150V可调的话,电路的反馈有没有什么问题,用431能不能做到?

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2013-08-03 23:04
@whutheyi
准备用494做控制IC的,不知道行不行,我也算了一下,这个占空比确实有点大各位大师都觉得推挽好做一点额,如果输出电压做成100V到150V可调的话,电路的反馈有没有什么问题,用431能不能做到?
用494做成不隔离的推挽,就没必要用431了。
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whutheyi
LV.3
10
2013-08-04 00:03
@ymyangyong
用494做成不隔离的推挽,就没必要用431了。
恩,正准备采用这种方式,谢谢首长
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gamejifan
LV.2
11
2013-08-04 02:18

请问各问首长,如果我使用两级BOOST串联,采用一个IC同时驱动两级的两个MOS管,然后第一级因为电流大,使用小电感不顾及纹波,最后再LC滤波会有什么不足吗?

好处在于在大电流处使用了小电感(第一级BOOST),在小电流时使用了稍大的电感,总得来说会不会磁性材料用得体积更小?


学生问个问题。。。望各位解答。

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