关于这个问题，我查了很多资料，说法不一。
对于过EMI来说，加了最外面的屏蔽，肯定是有好处的。但实际过程中我也发现了一些问题。
由于我在开反激变压器的气隙采用的是垫塑料片的方式，这样导致加了屏蔽铜箔条后，在气隙处产生涡流，使得气隙处的温升特别厉害。这样整个变压器的温升就特别高。
但是如果不加屏蔽铜箔条吧，我也怕变压器泄露出来的磁场会影响到我周围的控制芯片。
纠结呀，希望各位大侠给点意见！
关于这个问题，我查了很多资料，说法不一。
对于过EMI来说，加了最外面的屏蔽，肯定是有好处的。但实际过程中我也发现了一些问题。
由于我在开反激变压器的气隙采用的是垫塑料片的方式，这样导致加了屏蔽铜箔条后，在气隙处产生涡流，使得气隙处的温升特别厉害。这样整个变压器的温升就特别高。
但是如果不加屏蔽铜箔条吧，我也怕变压器泄露出来的磁场会影响到我周围的控制芯片。
纠结呀，希望各位大侠给点意见！
