关于《如何恢复反激变压器的漏泄能量》的讨论 关于《如何恢复反激变压器的漏泄能量》的讨论 近日，在《EDN CHINA》2013.07 上读到一篇文章《恢复反激变压器的漏泄能量》，该文章的主旨是，采用类似正激变压器能量恢复绕组的变压器结构，该恢复绕组与初级绕组有紧密地磁耦合。将MOS的漏源电压钳位在2倍直流电源轨电压，降低振铃电压。该文章在本网站也可浏览http://bbs.dianyuan.com/article/21865 ；http://bbs.dianyuan.com/article/21011 ；http://bbs.dianyuan.com/article/21007
我对该文章提到的方法进行了尝试。电路如图：芯片采用PI公司的DPA426R ,IN:DC20~28V;OUT:DC24V/0.8A,DC9V/0.2A。变压器规格为EPC19,初级和恢复绕组11匝，反馈绕组6匝；24V输出绕组10匝；初级电感量28.6uH。
结果：负载电流在0.6A时，串在恢复绕组上的二极管烧毁。当MOS有导通变为关断时，电流不能突变，因此二极管上会流过较大的电流，因此，选择二极管时其电流应与MOS的电流参数相对应。其次，在反激的时间里，存储在磁芯的能量，将通过次级绕组、反馈绕组、恢复绕组释放，由于恢复绕组与初级绕组紧耦合，分得的能量会相应大一些，那么，在其他条件相同的前提下，又恢复绕组的变压器，实际输出能力会下降。
因此，虽然能量恢复绕组可有效抑制MOS的漏源电压和振铃，但在初级大电流应用时，会在能量恢复二极管上带来额外的损耗。也就是说，该电路适用于小功率场合，或则说适用于初级电流较小的场合。
