方案昂宝的OB2269，工作频率设在68KHZ。输入90-220V。输出12V 5A.变压器PQ2620.高压效率85，低压82。变压器参数初级32T 0.5*2 ,次级5TS 0.5*4,反馈6TS 0.3*3 低压满载老化 MOS管温度110度，大电解110度（丰宾120uf、400v），变压器绝缘纸温度110度。如今温度过不了，请各位高手帮忙分析分析。
这是MOS管的散热片
这是肖特基的散热片
PCB板的尺寸L :103*W :45
一个星期了12V5A适配器桌面式 GS认证温度过不了？头疼啊
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@xieweixiong1989
这个我遇到了，我们用SD4871做60W的，也是12V5A，温升也一样过不了，我们低压效率82，高压效率85，（1.5m长的线18#）。后来用导热硅贴将热引到外壳散热，最后变压器温度是降了，但是光耦的又超了。壳内温度有80度了
你这个变压器设计的也是中规中矩的，反射电压80V，0.45的占空比,对于OPEN的应该没问题,但是这样的适配器恐怕温度够戗,你的效率上不来.230V估计也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射电压.看你的初级已经32Ts了,2620的BOBBIN估计0.5的线你连1匝也加不进去了,所以将次级去掉一圈,这个时候占空比会比较大,计算一下如果磁心没有接近饱和
磁通,那么初级也可适当减少1、2圈。这样整流管就可以选小点的耐压如80V的，看你的电压范围是到220V，那么60V的萧特基都可以考虑使用，效率肯定会提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V时0.84,220V时0.87左右,你的好象是固定频率硬开关,电感量适当大一点,可以工作在CCM下,效率应该会更高一点,基本上220V时0.89应该不是太费劲。但是这个时候你的MOS耐压就要注意了，要留足够的余量，最好打8折，同时吸收再处理一下。这样做你的MOS和变压器应该温度能解决，但是电容还是危险。祝你好运
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@dianhui
你这个变压器设计的也是中规中矩的，反射电压80V，0.45的占空比,对于OPEN的应该没问题,但是这样的适配器恐怕温度够戗,你的效率上不来.230V估计也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射电压.看你的初级已经32Ts了,2620的BOBBIN估计0.5的线你连1匝也加不进去了,所以将次级去掉一圈,这个时候占空比会比较大,计算一下如果磁心没有接近饱和磁通,那么初级也可适当减少1、2圈。这样整流管就可以选小点的耐压如80V的，看你的电压范围是到220V，那么60V的萧特基都可以考虑使用，效率肯定会提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V时0.84,220V时0.87左右,你的好象是固定频率硬开关,电感量适当大一点,可以工作在CCM下,效率应该会更高一点,基本上220V时0.89应该不是太费劲。但是这个时候你的MOS耐压就要注意了，要留足够的余量，最好打8折，同时吸收再处理一下。这样做你的MOS和变压器应该温度能解决，但是电容还是危险。祝你好运
跟我的想法是一样的。推荐这样搞。但一定要选个靠谱的MOSFEET。
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@dianhui
你这个变压器设计的也是中规中矩的，反射电压80V，0.45的占空比,对于OPEN的应该没问题,但是这样的适配器恐怕温度够戗,你的效率上不来.230V估计也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射电压.看你的初级已经32Ts了,2620的BOBBIN估计0.5的线你连1匝也加不进去了,所以将次级去掉一圈,这个时候占空比会比较大,计算一下如果磁心没有接近饱和磁通,那么初级也可适当减少1、2圈。这样整流管就可以选小点的耐压如80V的，看你的电压范围是到220V，那么60V的萧特基都可以考虑使用，效率肯定会提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V时0.84,220V时0.87左右,你的好象是固定频率硬开关,电感量适当大一点,可以工作在CCM下,效率应该会更高一点,基本上220V时0.89应该不是太费劲。但是这个时候你的MOS耐压就要注意了，要留足够的余量，最好打8折，同时吸收再处理一下。这样做你的MOS和变压器应该温度能解决，但是电容还是危险。祝你好运
大师如果占空比变大，反射电压就高，肖特基如何能使用60V的管。也要用大于100V的管子吧
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@lijuan@
是的PQ2620，如今高压效率88，低压84，不带线测。但壳内温度96度，如果在35度环境老化，96+10=106.电解电容温度过不了。如今想换成PQ2623的变压器不知可行不，大师们指点指点
占空比、反射电压都是根据你的MOS耐压来决定的，所以你的MOS耐压如果足够，比如600V或650V，打8折，这个时候计算你的反射电压，尽可能高一点，考虑SPIKE不要超过8折，当然可靠性要求不高时可打9折，同时注意占空比不要超过0.5(除非加补偿)。这个时候匝比肯定会大,那么次级整流管电压会变低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改为8,那么次级电压为311/8=39,39+12=51V,用60V萧特基打9折也有54V,所以没问题,如果是
264Vac,那就要用80V的了.
提高反射电压是为了减低初级电流,减少MOS的损耗,降低了次级电压那么可以选择更底耐压整流管从而降低Vf,选择相对好一点整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，没必要选择太好毕竟只有60W，因为到一定程度再大的电流规格对损耗的降低已没有多大实际意义了，因为Rdson虽降了但是由于电容的增大，开关损耗也会大了，对于这种适配器产品来说更不要提什么COOL MOS这种馊主意了，除非你的老板太有钱了没地花了；
对于变压器2620只要磁芯温度不要超过太高，常规的类PC40材料应该足够了，如果成本没有太大影响，也可以调整更换但要注意Ae不要变小了以防饱和。在变压器不饱和的前提下增大一点感量。祝你成功。
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@dianhui
占空比、反射电压都是根据你的MOS耐压来决定的，所以你的MOS耐压如果足够，比如600V或650V，打8折，这个时候计算你的反射电压，尽可能高一点，考虑SPIKE不要超过8折，当然可靠性要求不高时可打9折，同时注意占空比不要超过0.5(除非加补偿)。这个时候匝比肯定会大,那么次级整流管电压会变低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改为8,那么次级电压为311/8=39,39+12=51V,用60V萧特基打9折也有54V,所以没问题,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射电压是为了减低初级电流,减少MOS的损耗,降低了次级电压那么可以选择更底耐压整流管从而降低Vf,选择相对好一点整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，没必要选择太好毕竟只有60W，因为到一定程度再大的电流规格对损耗的降低已没有多大实际意义了，因为Rdson虽降了但是由于电容的增大，开关损耗也会大了，对于这种适配器产品来说更不要提什么COOLMOS这种馊主意了，除非你的老板太有钱了没地花了；对于变压器2620只要磁芯温度不要超过太高，常规的类PC40材料应该足够了，如果成本没有太大影响，也可以调整更换但要注意Ae不要变小了以防饱和。在变压器不饱和的前提下增大一点感量。祝你成功。
我客户的12V5A
MOS管 12N65 普通MOS管
芯片用NE1105C 高压启动芯片
用PQ2620
肖特基是PFR30V60CT 一个
输出线1.5M 18号 线端效率是87.3%只能过5级
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@dianhui
占空比、反射电压都是根据你的MOS耐压来决定的，所以你的MOS耐压如果足够，比如600V或650V，打8折，这个时候计算你的反射电压，尽可能高一点，考虑SPIKE不要超过8折，当然可靠性要求不高时可打9折，同时注意占空比不要超过0.5(除非加补偿)。这个时候匝比肯定会大,那么次级整流管电压会变低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改为8,那么次级电压为311/8=39,39+12=51V,用60V萧特基打9折也有54V,所以没问题,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射电压是为了减低初级电流,减少MOS的损耗,降低了次级电压那么可以选择更底耐压整流管从而降低Vf,选择相对好一点整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，没必要选择太好毕竟只有60W，因为到一定程度再大的电流规格对损耗的降低已没有多大实际意义了，因为Rdson虽降了但是由于电容的增大，开关损耗也会大了，对于这种适配器产品来说更不要提什么COOLMOS这种馊主意了，除非你的老板太有钱了没地花了；对于变压器2620只要磁芯温度不要超过太高，常规的类PC40材料应该足够了，如果成本没有太大影响，也可以调整更换但要注意Ae不要变小了以防饱和。在变压器不饱和的前提下增大一点感量。祝你成功。
感谢大师的指点，如今变压器，MOS温度解决。就是大电解温度过不了
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@dianhui
占空比、反射电压都是根据你的MOS耐压来决定的，所以你的MOS耐压如果足够，比如600V或650V，打8折，这个时候计算你的反射电压，尽可能高一点，考虑SPIKE不要超过8折，当然可靠性要求不高时可打9折，同时注意占空比不要超过0.5(除非加补偿)。这个时候匝比肯定会大,那么次级整流管电压会变低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改为8,那么次级电压为311/8=39,39+12=51V,用60V萧特基打9折也有54V,所以没问题,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射电压是为了减低初级电流,减少MOS的损耗,降低了次级电压那么可以选择更底耐压整流管从而降低Vf,选择相对好一点整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，没必要选择太好毕竟只有60W，因为到一定程度再大的电流规格对损耗的降低已没有多大实际意义了，因为Rdson虽降了但是由于电容的增大，开关损耗也会大了，对于这种适配器产品来说更不要提什么COOLMOS这种馊主意了，除非你的老板太有钱了没地花了；对于变压器2620只要磁芯温度不要超过太高，常规的类PC40材料应该足够了，如果成本没有太大影响，也可以调整更换但要注意Ae不要变小了以防饱和。在变压器不饱和的前提下增大一点感量。祝你成功。
说的太对了。增大了占空比后MOS损耗能小，肖特基可以用更低耐压的我，缺点就是输出的峰值电流大了，输出电容的纹波电流也大了，输出电解自然就过热了。简单点的解决办法那就是换ESR更小，耐纹波电流更大的电解了。
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