IW1710烧mos管，求指点

小弟菜鸟，用iw1710做36V 500mA的电源，老化中发现有一个样品烧了mos管电阻R13 R14 桥堆保险丝 IC，求前辈们指点一下应该从哪里下手找原因呢？

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rj44444

LV.9

2013-10-15 16:30

这个功率不大，应该排除过热烧坏，看看漏极尖峰，这个造成烧坏的可能性比较大，另外看看你的辅助供电电压在输出满载时多高，栅介质也可能击穿。MOS管一烧，接下来就是桥堆或者保险丝或者采样电阻

381896371

LV.5

2013-10-15 16:52

@rj44444

初步分析,同意楼上的说法,两点入手,第一,排除是不是MOS本身质量不过关,第二,测试MOS的电压波形,上图来看看

l2k999

LV.1

2013-10-15 17:24

@381896371

初步分析,同意楼上的说法,两点入手,第一,排除是不是MOS本身质量不过关,第二,测试MOS的电压波形,上图来看看

感谢楼上两位前辈指点，刚刚测试了波形如下：

1.Vds电压波形

2.Vcc电压波形

3.输出电压波形

总结：

1.Vds-pp为444V，mos管为7n60，耐压应该够吧？

2.VCC和输出的纹波确实是大，有1V多

这样看烧管的问题会是尖峰过大造成的吗？

l2k999

LV.1

2013-10-17 16:57

@l2k999

感谢楼上两位前辈指点，刚刚测试了波形如下：1.Vds电压波形[图片] 2.Vcc电压波形.[图片] 3.输出电压波形[图片] 总结：1.Vds-pp为444V，mos管为7n60，耐压应该够吧？ 2.VCC和输出的纹波确实是大，有1V多这样看烧管的问题会是尖峰过大造成的吗？

这样子就沉了么...

rj44444

LV.9

2013-10-17 17:02

@l2k999

这两个尖峰都不至于产生问题。两个电流采样电流用的好像是1206，温度肯定会很高，建议改大封装试试。不过这个应该不至于导致你mos管损坏

l2k999

LV.1

2013-10-17 17:09

@rj44444

这两个尖峰都不至于产生问题。两个电流采样电流用的好像是1206，温度肯定会很高，建议改大封装试试。不过这个应该不至于导致你mos管损坏

的确是1206，按照IW的参考设计里面也是用1206的封装

zhouhanjie

LV.2

2013-10-18 14:08

@l2k999

的确是1206，按照IW的参考设计里面也是用1206的封装

MOS管是不是水货？

381896371

LV.5

2013-10-18 15:59

@l2k999

VDS才400多V,你是不是测错误了啊?如过真的是400多V,那你这个MOS是不会坏的,除非是水货

dsic

LV.6

2013-10-19 10:50

发现这个电路图至少有一个问题：R6放的位置不对，不应该放在R2这一边，而应该放在D3这一侧。目前R6的位置，将导致IC工作在巨大的噪音中，记住这个是开关电源，IC需要从电容C9取电，快速的很大的电流通过R6就产生了噪音。在大噪声的干扰下，IC可能有失控的危险。

当然，不排出功率管的品质问题，现在功率管假货太多，一般小厂很难确保拿到有品质保证的真货。

bcg800

LV.4

2013-10-20 14:15

@dsic

发现这个电路图至少有一个问题：R6放的位置不对，不应该放在R2这一边，而应该放在D3这一侧。目前R6的位置，将导致IC工作在巨大的噪音中，记住这个是开关电源，IC需要从电容C9取电，快速的很大的电流通过R6就产生了噪音。在大噪声的干扰下，IC可能有失控的危险。当然，不排出功率管的品质问题，现在功率管假货太多，一般小厂很难确保拿到有品质保证的真货。

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