正激的三绕组去磁匝比怎么选?

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米老鼠

LV.8

2013-11-28 15:47

1比1

这个匝比跟管子耐压有关

老梁头

LV.10

2013-11-28 18:39

@米老鼠

1比1[图片]这个匝比跟管子耐压有关

一般是1:1

zhangxu869

LV.4

2014-01-16 15:59

@老梁头

一般是1:1

原边的匝数一比一吗？可以并绕不？

rj44444

2014-01-16 16:11

@zhangxu869

原边的匝数一比一吗？可以并绕不？

如果你的占空比不超过0.5，去磁绕组和原边匝数取一样就行，并绕应该不好，去磁绕组线径可以选得很细，和原边取一样太浪费了

山东大汉

LV.10

2014-01-16 19:20

@rj44444

如果你的占空比不超过0.5，去磁绕组和原边匝数取一样就行，并绕应该不好，去磁绕组线径可以选得很细，和原边取一样太浪费了

两根线并绕的话，很容易绕不好的，尤其是自己绕

SKY丶辉煌

LV.10

2014-01-17 00:19

假定去磁绕组为Nm，原边绕组为Np。

则去磁绕组两端电压为Vin*Nm/Np

MOSFET的两端电压为Vin+Vin*Nm/Nm

去磁串联的二极管的电压为Vin+Vin*Nm/Np

由上面两个关系式可知，若Nm/Np大，对Mosfet的冲击大，若Nm/Np小，则对二极管冲击大。

所以选择Nm=Np。都承受2VIN。

SKY丶辉煌

LV.10

2014-01-17 00:23

@zhangxu869

原边的匝数一比一吗？可以并绕不？

为了避免在P1和P2间存在的漏感过大和因此产生的在在晶体管集电极电压过高，一般采用原边绕组P1与能量再生线圈P2双线并绕的方法。

如果不并饶，需要加电容来吸收。

张占松，开关电源设计

zhenxiang

LV.10

2014-01-17 09:19

@SKY丶辉煌

假定去磁绕组为Nm，原边绕组为Np。则去磁绕组两端电压为Vin*Nm/NpMOSFET的两端电压为Vin+Vin*Nm/Nm去磁串联的二极管的电压为Vin+Vin*Nm/Np由上面两个关系式可知，若Nm/Np大，对Mosfet的冲击大，若Nm/Np小，则对二极管冲击大。所以选择Nm=Np。都承受2VIN。

楼上的解释是对的，去磁绕组与初级绕组的匝比由占空比决定。最终是要达到磁通平衡。