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mos管寄生电容的问题

各位前辈,小弟有一个问题想请教一下。

MOS管的G/D/S端口分别有寄生电容,Cgs、Cdg、Cds ,我只知道寄生电容越小越好,但不知道实际存在的寄生电容对电路会产生怎么的影响?如何应对?最好能举例说明一下,谢谢了!!

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2013-11-29 14:59

Cgs:是g、s两端的寄生电容,和Cgd共同称为Mos的输入电容。Mos的驱动其实就是驱动电流为输入电容充电,充电知道Vgs到达Vth(启动电压)之后,Mos就导通。这些寄生电容之间有很多讲究和说法的,一时半会儿说不清楚,你可以去找两个帖子:http://bbs.dianyuan.com/topic/582407。。。。。。。。。。。。。。。。。。http://bbs.dianyuan.com/topic/579603

仔细看看这两篇帖子  很有用的

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2013-11-29 16:42
@vega_mylove
Cgs:是g、s两端的寄生电容,和Cgd共同称为Mos的输入电容。Mos的驱动其实就是驱动电流为输入电容充电,充电知道Vgs到达Vth(启动电压)之后,Mos就导通。这些寄生电容之间有很多讲究和说法的,一时半会儿说不清楚,你可以去找两个帖子:http://bbs.dianyuan.com/topic/582407。。。。。。。。。。。。。。。。。。http://bbs.dianyuan.com/topic/579603仔细看看这两篇帖子 很有用的
学习啦
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2013-11-29 18:06
MOS管的Cdg最重要,尤其高电压工作,Cdg容值大了,就需要大的驱动电流,否则开关速度就慢,开关损耗大。一般情况下,其他两个电容相对不重要。
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2013-11-29 19:58
@世界真奇妙
MOS管的Cdg最重要,尤其高电压工作,Cdg容值大了,就需要大的驱动电流,否则开关速度就慢,开关损耗大。一般情况下,其他两个电容相对不重要。

师长大哥  小弟觉得Cgs也很重要啊   如图   Vgs曲线中   对Cdg充电是在Cgs冲到Vth才开始进行的   也就是说在Cdg开始充电时  Mos已经达到门极已经达到    而开关损耗确实是由米勒平台处最大   也就是和Cgd有很大关系    

Vth了   所以开关速度应该是和输入电容有关 也就是Cdg和Cgs之和    

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