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请教 L6599 炸MOSFET 管的问题

各位大侠,请指教!

我目前设计一款150W的电源,满载工作30分钟后出现炸机(上管完全炸裂---MOSFET 顶部炸飞;下管击穿);具体如下:

输入电压:200~264Vac, 输出功率:150W

Vout1: 32V/3.4A;  

Vout2: 24V/1.5A;

Vout3: 12V/0.25A;

Cr:目前使用:33nF;

变压器ETD28:电感:350uH, 漏感:75uH; 初级圈数:39TS,32V==》6TS,24V===》4TS,12V===》2TS,VCC:5TS;

其他参考信息:

1.  满载烧机时,MOSFET(上管温度135度),

2.  开机启动频率:161KHz,

3.  满载频率:62.9KHz,

4. 空载频率:74KHz,

5.  附上电路图,关键元器件参数线路图上已经表明;

6.  并附上部分测试波形

请教的问题:

由于我第一次设计LLC,敬请各位不啬赐教!

1. 变压器的个参数设计的是否合理(变压器使用ETD28)?

2.  频率设置是否正确?(R Fmin=16.5K, R Fmax= 1.5K, Cf:1nF)

3.  根据我测试的MOSFET 温度,炸机是温度引起的还是其他原因导致?

4.  是不是我们的元件参数设置有问题(见电路图)。

5. 另外根据这个图纸的参数,还有一个问题需要请教,空载功耗超级高,5W左右。我测得STBY 脚电压是1.75V,应该是这个问题引起的。请指教!

图片:

开机启动频率:

空载频率:

满载频率:

MOSFET Vgs 驱动波形:(第二通道(绿色)是上管)

再来张放大的驱动波形图:

电路图:

SCH.pdf

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rickyfu
LV.2
2
2013-12-14 20:47
补充一下: MOSFET 使用的是10A/650V   DPAK 封装的。
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linss
LV.5
3
2013-12-14 21:41
太精辟了,做个记号。
0
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rickyfu
LV.2
4
2013-12-15 08:51
@linss
[图片]太精辟了,做个记号。
自己顶一下。
0
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2013-12-16 08:52

ETD28,Ae值74 mm2,作150W是不是小了?

看磁芯工作30分钟的过程中是不是饱和了

0
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2013-12-16 10:10
@edie87@163.com
ETD28,Ae值74mm2,作150W是不是小了?看磁芯工作30分钟的过程中是不是饱和了

应该是饱和了。。。

至少要用AE值是107的吧??

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rickyfu
LV.2
7
2013-12-16 11:23
@dxsmail
应该是饱和了。。。至少要用AE值是107的吧??

贴一张VDS,波形图:

再来一张VDS 与Vgs(黄色为VGS,绿色为VDS)

 

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2013-12-16 11:31
@rickyfu
贴一张VDS,波形图:[图片]再来一张VDS与Vgs(黄色为VGS,绿色为VDS)[图片] 

个人觉得你连入门都没有。。附件是

飞兆FSFR半桥LLC谐振变换器的设计LZL.pdf

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rickyfu
LV.2
9
2013-12-16 20:06
@dxsmail
个人觉得你连入门都没有。。附件是飞兆FSFR半桥LLC谐振变换器的设计LZL.pdf
第一次做这个LLC,是还没入门,请多指教。
0
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linss
LV.5
10
2013-12-16 23:40
@edie87@163.com
ETD28,Ae值74mm2,作150W是不是小了?看磁芯工作30分钟的过程中是不是饱和了
太精辟了,做个记号。
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