我刚开始的时候用的是推挽类型的Nmos,但是效率不高,有一个师兄跟我说用Nmos和Pmos组成如下图的电路可以减小发热量,而且效率也会提升,说是当方波为0时,Pmos导通,方波为高电压时Nmos导通,由于一直使用Nmos,但是这种接法我刚接触过,而且mos管发热量很小?希望高手们能不能帮我解答一下
P-MOS接反了,电路也不是这个样的,不是全桥就得有个电容。。
现在的P-MOS电压做不高,内阻做不低,价格下不来,暂时没法普及应用。。。
你好,qinzutain军长,你想说的是不是半桥电路呢?
你说的驱动方法和我上面这幅图应该是一个意思,存在的问题军长已经指出了。这种驱动方式严格限制了电源电压,因为电源电压决定了栅源极间驱动电压,对于一般的MOSFET,电源电压大概在几V到二三十V之间。另外这种方法没用办法设置死区,上下管的交叠损耗是很大的
死区问题是肯定存在的,开关不是瞬间完成的。电源电压被限制不是受制于PMOS的耐压,而是MOSFET的栅源击穿电压,不管是PMOS还是NMOS,栅源击穿电压一般不会超过30V