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大师们请教个Rsense问题?

图中红圈里纹波是什么引起的呢 要紧不?

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2013-12-27 08:49
那是开关管在开关过程中引起的震荡    正常
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sinican
LV.8
3
2013-12-27 14:31

开关管 Cds 与 电感产生的震荡,正常情况

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colinghui
LV.4
4
2013-12-27 17:54
如果很大呢?如那两图 一个是空载 一个是满载
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colinghui
LV.4
5
2013-12-28 20:31
@sinican
开关管Cds与电感产生的震荡,正常情况

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colinghui
LV.4
6
2013-12-30 17:15
@colinghui
如果很大呢?如那两图一个是空载一个是满载
不能沉啊
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colinghui
LV.4
7
2014-01-07 13:52
@colinghui
不能沉啊

没有前辈遇到这样的问题吗

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sinican
LV.8
8
2014-01-07 16:59
@colinghui
没有前辈遇到这样的问题吗

这种大的波形,是因为你后级整流管恢复时间太长了

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colinghui
LV.4
9
2014-01-08 17:28
@sinican
这种大的波形,是因为你后级整流管恢复时间太长了
12V3A用20100肖特基对管整流啊 我怀疑感量会影响 EF25磁芯 0.8mH 这感量是不是大了?
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sinican
LV.8
10
2014-01-08 19:39
@colinghui
12V3A用20100肖特基对管整流啊我怀疑感量会影响EF25磁芯0.8mH这感量是不是大了?

这个图形是,原边的开关管与副边的整流管共通了

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colinghui
LV.4
11
2014-01-09 21:16
@sinican
这个图形是,原边的开关管与副边的整流管共通了
前辈  你遇到过这类问题吗  影响大不  输出整流已经用肖特基了,反相恢复时间还不够那该如何解决呢
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sinican
LV.8
12
2014-01-10 14:33
@colinghui
前辈 你遇到过这类问题吗 影响大不 输出整流已经用肖特基了,反相恢复时间还不够那该如何解决呢

加速你前级 MOS 的打开速度吧

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2014-01-10 14:46

這兩個尖峰沒有多大影響的,MOS導通前的尖峰在IC內部都有LEB功能的,你可參考各IC的參考資料。后面的尖峰其實是因為漏感影起的,從而導致MOS內部的寄生容在不停的充放電。

 

  

 

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colinghui
LV.4
14
2014-01-11 20:53
@向着太阳
這兩個尖峰沒有多大影響的,MOS導通前的尖峰在IC內部都有LEB功能的,你可參考各IC的參考資料。后面的尖峰其實是因為漏感影起的,從而導致MOS內部的寄生容在不停的充放電。    
前沿消隐???这尖峰影响大不?会影响到什么呢?正在更改变压器参数,搞定将会公布结果。
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2014-01-13 16:44
@colinghui
前沿消隐???这尖峰影响大不?会影响到什么呢?正在更改变压器参数,搞定将会公布结果。
LEB就是前沿隱,現在IC都有此功能,你可看IC內部框圖就清楚了。這個尖峰的大小其實完全是你ST設計的而產生的,我有設計過一款12V2.5A的POWER,Rsense電阻導通時產生的電流尖峰比你的大多了,也沒問題,這個尖峰已被IC過濾掉了,所以你應該看一下IC的資料,資料內有詳細說明的。
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yiangzi
LV.4
16
2014-01-13 17:18
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colinghui
LV.4
17
2014-01-13 20:44
@向着太阳
LEB就是前沿隱,現在IC都有此功能,你可看IC內部框圖就清楚了。這個尖峰的大小其實完全是你ST設計的而產生的,我有設計過一款12V2.5A的POWER,Rsense電阻導通時產生的電流尖峰比你的大多了,也沒問題,這個尖峰已被IC過濾掉了,所以你應該看一下IC的資料,資料內有詳細說明的。

没有说带有那功能啊 内部框图晚辈又看不懂,前辈帮看下 带那功能吗

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colinghui
LV.4
18
2014-01-13 22:16
后面两图的结果出来了,果然是感量太大了。但好像不会产生什么大的影响,我来这里前,已经量产过了,这变压器是前面的工程师设计的。但前辈们有没有发现,下降时的纹波并不平滑?是不是磁芯接近

饱和了???还有就是周期好像不一样,第二个周期好像抖动的厉害,这是什么情况
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jiame2006
LV.7
19
2014-01-14 08:27
@colinghui
后面两图的结果出来了,果然是感量太大了。但好像不会产生什么大的影响,我来这里前,已经量产过了,这变压器是前面的工程师设计的。但前辈们有没有发现,下降时的纹波并不平滑?是不是磁芯接近[图片]饱和了???还有就是周期好像不一样,第二个周期好像抖动的厉害,这是什么情况

1.貌似没有饱和的特征,把波形再展开一个等级看,如果饱和或轻度饱和,上升那个波形会是弧形,现在看起来是直的斜线,应该没有饱和。

2.抖动应该是IC带抖频功能,这个可以降低EMI单频点峰值,分散到附近频段,这样EMI会好处理很多。

 

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2014-01-14 09:09
@colinghui
后面两图的结果出来了,果然是感量太大了。但好像不会产生什么大的影响,我来这里前,已经量产过了,这变压器是前面的工程师设计的。但前辈们有没有发现,下降时的纹波并不平滑?是不是磁芯接近[图片]饱和了???还有就是周期好像不一样,第二个周期好像抖动的厉害,这是什么情况

LEB就是前沿消影,框圖里有提到,你也可通過IC的功能描述欄找到答案。

該圖說明ST沒有飽和,此圖你是放在最高操作溫度里量測的嗎?驗證ST飽和的最佳方法就是在電源的外殼上鉆一個小孔,從Rsense上引出一根線,用示波器抓Rsense的電壓波形,在滿載條件下燒機,看電壓波形就可識別了。你若要確認系統的穩定性能好不好,可將此波形再壓縮一下,只要在長時間燒機下沒有出現大小波你的系統應該是穩定的,

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colinghui
LV.4
21
2014-01-14 11:18
@向着太阳
LEB就是前沿消影,框圖里有提到,你也可通過IC的功能描述欄找到答案。該圖說明ST沒有飽和,此圖你是放在最高操作溫度里量測的嗎?驗證ST飽和的最佳方法就是在電源的外殼上鉆一個小孔,從Rsense上引出一根線,用示波器抓Rsense的電壓波形,在滿載條件下燒機,看電壓波形就可識別了。你若要確認系統的穩定性能好不好,可將此波形再壓縮一下,只要在長時間燒機下沒有出現大小波你的系統應該是穩定的,
这个是在常温下测的。
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2014-01-14 11:21
@colinghui
这个是在常温下测的。
常溫當然不行,若常溫就能看出問題那電源真的問題太大了。放入最高操作溫度里再驗證看看...
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colinghui
LV.4
23
2014-01-14 11:41
@colinghui
后面两图的结果出来了,果然是感量太大了。但好像不会产生什么大的影响,我来这里前,已经量产过了,这变压器是前面的工程师设计的。但前辈们有没有发现,下降时的纹波并不平滑?是不是磁芯接近[图片]饱和了???还有就是周期好像不一样,第二个周期好像抖动的厉害,这是什么情况
更正一下上面的说法,今天早上又装回原来的变压器来测试,空载尖峰还是不变,但满载时尖峰却正常了。郁闷
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colinghui
LV.4
24
2014-01-14 11:43
@向着太阳
常溫當然不行,若常溫就能看出問題那電源真的問題太大了。放入最高操作溫度里再驗證看看...
这没那条件,长时间低压老化应该也可以吧
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2014-01-15 20:24
@colinghui
[图片][图片]
MOS准备关断了但又推迟了一下,这个问题主要是由两个原因引起的 -

1. PCB走线不合理。MOS管驱动部分的走线要尽量短一些,不要太细。最好贴近到MOS管S极之间的地线,使驱动线路与地线回路之间围住的面积尽量小。(请参看下图)

2. MOS管S极到地之间的电阻,要用无感电阻。

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colinghui
LV.4
26
2014-01-15 21:35
@心碎的乌托邦
MOS准备关断了但又推迟了一下,这个问题主要是由两个原因引起的-1. PCB走线不合理。MOS管驱动部分的走线要尽量短一些,不要太细。最好贴近到MOS管S极之间的地线,使驱动线路与地线回路之间围住的面积尽量小。(请参看下图)2.MOS管S极到地之间的电阻,要用无感电阻。
帮哥 图呢?
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