LED电源辐射30M超标,求帮助改善
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@power006
建议:1,RCD的D套磁珠2,MOSD套磁珠3,输出二极管套磁珠4,调整变压器屏蔽层位置,不知道你是铜皮还是绕线屏蔽? 绕线的话,位置,匝数,层数,相位,效果可能不同。5,调整变压器绕法。一般情况,初级越在里层,辐射越小, 为什么?自己思考。6,调整EMI滤波器共模电感 用分槽的,一般比没分槽的效果好。7,调整RCD的参数,D型号,C容量,R阻值。D,超快的,快速的,一般的都试试。
对于,辐射,我认为需要 从根源和途径下手。
根源,漏感,MOS快速关断D电压突变,输出整流二极管恢复震荡
途径,主要是Y电容 和LF滤波电感。 有时,调整下Y电容位置,会有惊喜。
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@power006
建议:1,RCD的D套磁珠2,MOSD套磁珠3,输出二极管套磁珠4,调整变压器屏蔽层位置,不知道你是铜皮还是绕线屏蔽? 绕线的话,位置,匝数,层数,相位,效果可能不同。5,调整变压器绕法。一般情况,初级越在里层,辐射越小, 为什么?自己思考。6,调整EMI滤波器共模电感 用分槽的,一般比没分槽的效果好。7,调整RCD的参数,D型号,C容量,R阻值。D,超快的,快速的,一般的都试试。
你好,power006:
1.RCD 的D是贴片 2.MOS是贴片的 3.输出的D是贴片 套不了磁珠 4.变压器采取三明治绕法:1/2NP-NS-Nvcc-1/2NP 内屏蔽是线绕的 外屏蔽是铜箔 5.? 6.PCB定了改不了;
我现在的想法是共模部分的抑制不好,跨接在初级地和次级地的Y电容 2.2NF改为3.3NF的
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@YIGUOLONG
你好,power006: 1.RCD的D是贴片 2.MOS是贴片的 3.输出的D是贴片套不了磁珠 4.变压器采取三明治绕法:1/2NP-NS-Nvcc-1/2NP 内屏蔽是线绕的 外屏蔽是铜箔 5.? 6.PCB定了改不了; 我现在的想法是共模部分的抑制不好,跨接在初级地和次级地的Y电容2.2NF改为3.3NF的
我看你PCB 拉了那么长的线 难怪会超 这个回路的辐射量一部分取决于这个回路的大小 另一部分取决于这个回路的屏蔽量和产生量。你变压器结构和PCB结构固定了 那么就想办法减小这个回路面积,减小面积的办法就是 缩短整流后滤波电容到变压器输入端和MOS管源极的距离。
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