【讨论】MOS管也可以自己保护

这个不像是过热保护。

16A时长时间带载都可以，一到17A就这样了。

而且冷态18度环境下，突然带载17A也会这样，突然带载25A也不会击穿，还是这样。

如果是过热导致的，16A长时间带载也应该会过热，但不会出现这个情况，

而且过热在短时间内反复测试时因为有热积累不应该总是17A出现这个情况。

另外，过热一般的表现会是击穿不可恢复，而这个是可以反复测试不击穿，

仔细一点看最后那个波形的后部分，MOS的VGS和输出波形是有尖峰的，说明MOS试图恢复正常工作的状态，

但因为输出电流一直维持着，所以一直处于保护状态，类似于开关电源的过流打嗝保护。

这个是IPW60R190C6 datasheet上面的截图，也许从这个图片上能找到答案

我也感觉像是驱动的问题，可能是驱动能力不足造成的

RDS无穷大看起来是对的，相对于电子负载的带载模式下的内阻是非常大，

所以输入电压分压后MOS的VDS接近输入电压，那为什么输出电流还有？

而且我测量的电流是MOS的S级与输出电容之间的，不是输出电容与电子负载之间的。

既然MOSFET的内阻非常大，那么从理论上来说其本身肯定基本没有什么电流流过了，即使是流过电流都是MOSFET的Cds电容形成的漏电流，应该很小才对

而且MOSFET的S到输出电容基本没有压降了，电流是怎么形成的？是不是测量错误，还是拾取的干扰信号？请再次确认。

电流的确是很大，17A左右，这个我反复验证过，同时也用钳表确认过。

明天发一张放大后的波形，

在进入“保护”模式后，输出的电压和驱动的电压对应的尖峰纵坐标上电流也是有一个很小的下尖峰的，

但下尖峰低谷也有16A以上（示波器是100M全开带宽的）。之前我没测电流波形时也是很认同MOS保护使DS开路了，但测了电流以后发现不应该是这样的，

所以也对电流进行过反复验证。

驱动不足时不会是这样的，驱动不足应该是VGS会被拉低，而这个VGS是不低反而更高。

同时线性调整也不存在驱动不足。

输入电流源限流了输入的电压会降低，这里是没有降的。

而且输入电源是40A的线性电源。

是的，线性调整，不存在驱动不足的问题

而且MOSFET不像三极管驱动需要较大电流，MOSFET是电压型驱动器件

再看了一遍这个图，的确在6V时RDS变得很大了，此时的ID也刚好就在17A左右，

但是，同时此时的驱动也因为内阻变大而使得环路控制加大VGS，

所以看到的波形此时的VGS是上升的，

这样就有2个问题了：

1. 为什么环路让VGS加大，根据曲线中的来看，VGS加大后，ID可以再大些（超过17A），为什么此时不会ID不会再大，而且输出也为0了？

2. 环路控制导致VGS电压上升，说明环路检测到了输出电压降低了，为什么输出的电流仍有那么大，输出电压还会降低？

补图：