请建议非隔离+PFC 以floating GND 架构的IC ? (EMI 好解决)

我们目前用的是非隔离式MOSFET 内建(4/6A)的架构以Floating GND 架构为主, 测过O2及Leadtrend 的同样架构(MOSFET 包在IC), EMI 都不是很好解. 需加许多EMI零件.

请建议非隔离+PFC 以floating GND 架构的IC ? 并内建EMI 对策, 以便减少零件数量.

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LV.4

2014-02-11 22:32

多大功率，外置mos的方案行不？

LV.8

2014-02-12 08:58

问题不明显

LV.8

2014-02-12 15:32

LV.6

2016-03-25 17:56

这位仁兄，我英语差，不要说那么专业，你是不是想表达：有没有非隔离高PF降压浮地架构的方案，需要内置MOS，并且外围器件要少，尽量内置MOS,EMC好过。总结：你要做堵头电源。

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