同步整流
那位仁兄能说说同步整流技术的方面问题
全部回复(8)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢，说说你的想法
同步整流主要就是利用Mosfet的低导通电阻特性比萧特基二极管Vf低很多来节省功耗,提高效率,降低温升.用于,低压,大电流的效果比较明显.DC-DC 模块有的电流小点也用,因为体积小,不好散热,用同步整流降低温升很明显.
目前主要分自驱和外趋两种.
自驱以便用变压器来驱动Mosfet,体积大,变压器也有功耗,还有轻载时的回灌比较难解决,做单电压输入可行,做全电压或110V/220V电压输入的时候效率不好.还有对变压器绕制的要求高,如果精度控制不好,不光影响效率,还容易引起控制时序问题炸机,量产时风险也大.
外驱主要是用专用IC来控制Mosfet.体积小,功耗小,一致性高.我们就做专用同步整流IC.
1.SOP-8封装,外围元件少,每个pin挂一个元件,有的pin还可以悬空.并且各个pin 的外围器件关联性小,所以容易调试,并且方案总成本低.
2.我们的IC开启同步整流的原理可以判断识别轻载时的噪声,避免轻载时噪声造成的误动做.
3.在CCM和DCM模式下都能工作,并且在电源同时有CCM和DCM模式也能可靠工作.不需外加辅助绕组或变压器,完全靠IC内部调节.
4.on-time duty 自动转换, 完全打开,无论110V / 220V 切换电源还是全电压输入皆可适用.不用增加成本和同步整流Mosfet并联萧特基进行辅助,效率高.
5.对Mosfet 的Rds(on)的选择没有限制.单颗IC可以直接驱动Ciss 8000PF左右的Mosfet.并且IC工作时温升低.
6.IC是CMOS制程,温度变化对IC的性能影响小.
7.通过coil波形和内部波形比较进行关断时间预测,自动侦测关断Mosfet , 可以完全将coil的能量做有效的转换. 可以避免不必要的能量浪费. switch的损失,常因为波形 raise time / falling time的延迟 , 造成不必要的 swithing loss . 而我们的控制IC可以根据客户需要调节关断时间,减少这种种损失.
8.方案容易移植.如果已有萧特级整流的电路,基本不用改动初级次级电路元件结构和参数,只需去掉原有的萧特基二极管换上我们的同步整流方案就能完成方案移植.
你是准备做带同步整流的电源吗?1173779483.pdf1173779580.pdf
目前主要分自驱和外趋两种.
自驱以便用变压器来驱动Mosfet,体积大,变压器也有功耗,还有轻载时的回灌比较难解决,做单电压输入可行,做全电压或110V/220V电压输入的时候效率不好.还有对变压器绕制的要求高,如果精度控制不好,不光影响效率,还容易引起控制时序问题炸机,量产时风险也大.
外驱主要是用专用IC来控制Mosfet.体积小,功耗小,一致性高.我们就做专用同步整流IC.
1.SOP-8封装,外围元件少,每个pin挂一个元件,有的pin还可以悬空.并且各个pin 的外围器件关联性小,所以容易调试,并且方案总成本低.
2.我们的IC开启同步整流的原理可以判断识别轻载时的噪声,避免轻载时噪声造成的误动做.
3.在CCM和DCM模式下都能工作,并且在电源同时有CCM和DCM模式也能可靠工作.不需外加辅助绕组或变压器,完全靠IC内部调节.
4.on-time duty 自动转换, 完全打开,无论110V / 220V 切换电源还是全电压输入皆可适用.不用增加成本和同步整流Mosfet并联萧特基进行辅助,效率高.
5.对Mosfet 的Rds(on)的选择没有限制.单颗IC可以直接驱动Ciss 8000PF左右的Mosfet.并且IC工作时温升低.
6.IC是CMOS制程,温度变化对IC的性能影响小.
7.通过coil波形和内部波形比较进行关断时间预测,自动侦测关断Mosfet , 可以完全将coil的能量做有效的转换. 可以避免不必要的能量浪费. switch的损失,常因为波形 raise time / falling time的延迟 , 造成不必要的 swithing loss . 而我们的控制IC可以根据客户需要调节关断时间,减少这种种损失.
8.方案容易移植.如果已有萧特级整流的电路,基本不用改动初级次级电路元件结构和参数,只需去掉原有的萧特基二极管换上我们的同步整流方案就能完成方案移植.
你是准备做带同步整流的电源吗?1173779483.pdf1173779580.pdf
0
回复
提示
@洪七公
同步整流主要就是利用Mosfet的低导通电阻特性比萧特基二极管Vf低很多来节省功耗,提高效率,降低温升.用于,低压,大电流的效果比较明显.DC-DC模块有的电流小点也用,因为体积小,不好散热,用同步整流降低温升很明显.目前主要分自驱和外趋两种.自驱以便用变压器来驱动Mosfet,体积大,变压器也有功耗,还有轻载时的回灌比较难解决,做单电压输入可行,做全电压或110V/220V电压输入的时候效率不好.还有对变压器绕制的要求高,如果精度控制不好,不光影响效率,还容易引起控制时序问题炸机,量产时风险也大.外驱主要是用专用IC来控制Mosfet.体积小,功耗小,一致性高.我们就做专用同步整流IC.1.SOP-8封装,外围元件少,每个pin挂一个元件,有的pin还可以悬空.并且各个pin的外围器件关联性小,所以容易调试,并且方案总成本低.2.我们的IC开启同步整流的原理可以判断识别轻载时的噪声,避免轻载时噪声造成的误动做.3.在CCM和DCM模式下都能工作,并且在电源同时有CCM和DCM模式也能可靠工作.不需外加辅助绕组或变压器,完全靠IC内部调节.4.on-timeduty自动转换,完全打开,无论110V/220V切换电源还是全电压输入皆可适用.不用增加成本和同步整流Mosfet并联萧特基进行辅助,效率高.5.对Mosfet的Rds(on)的选择没有限制.单颗IC可以直接驱动Ciss8000PF左右的Mosfet.并且IC工作时温升低.6.IC是CMOS制程,温度变化对IC的性能影响小.7.通过coil波形和内部波形比较进行关断时间预测,自动侦测关断Mosfet,可以完全将coil的能量做有效的转换.可以避免不必要的能量浪费.switch的损失,常因为波形raisetime/fallingtime的延迟,造成不必要的swithingloss.而我们的控制IC可以根据客户需要调节关断时间,减少这种种损失.8.方案容易移植.如果已有萧特级整流的电路,基本不用改动初级次级电路元件结构和参数,只需去掉原有的萧特基二极管换上我们的同步整流方案就能完成方案移植.你是准备做带同步整流的电源吗?1173779483.pdf1173779580.pdf
**此帖已被管理员删除**
0
回复
提示
@洪七公
同步整流主要就是利用Mosfet的低导通电阻特性比萧特基二极管Vf低很多来节省功耗,提高效率,降低温升.用于,低压,大电流的效果比较明显.DC-DC模块有的电流小点也用,因为体积小,不好散热,用同步整流降低温升很明显.目前主要分自驱和外趋两种.自驱以便用变压器来驱动Mosfet,体积大,变压器也有功耗,还有轻载时的回灌比较难解决,做单电压输入可行,做全电压或110V/220V电压输入的时候效率不好.还有对变压器绕制的要求高,如果精度控制不好,不光影响效率,还容易引起控制时序问题炸机,量产时风险也大.外驱主要是用专用IC来控制Mosfet.体积小,功耗小,一致性高.我们就做专用同步整流IC.1.SOP-8封装,外围元件少,每个pin挂一个元件,有的pin还可以悬空.并且各个pin的外围器件关联性小,所以容易调试,并且方案总成本低.2.我们的IC开启同步整流的原理可以判断识别轻载时的噪声,避免轻载时噪声造成的误动做.3.在CCM和DCM模式下都能工作,并且在电源同时有CCM和DCM模式也能可靠工作.不需外加辅助绕组或变压器,完全靠IC内部调节.4.on-timeduty自动转换,完全打开,无论110V/220V切换电源还是全电压输入皆可适用.不用增加成本和同步整流Mosfet并联萧特基进行辅助,效率高.5.对Mosfet的Rds(on)的选择没有限制.单颗IC可以直接驱动Ciss8000PF左右的Mosfet.并且IC工作时温升低.6.IC是CMOS制程,温度变化对IC的性能影响小.7.通过coil波形和内部波形比较进行关断时间预测,自动侦测关断Mosfet,可以完全将coil的能量做有效的转换.可以避免不必要的能量浪费.switch的损失,常因为波形raisetime/fallingtime的延迟,造成不必要的swithingloss.而我们的控制IC可以根据客户需要调节关断时间,减少这种种损失.8.方案容易移植.如果已有萧特级整流的电路,基本不用改动初级次级电路元件结构和参数,只需去掉原有的萧特基二极管换上我们的同步整流方案就能完成方案移植.你是准备做带同步整流的电源吗?1173779483.pdf1173779580.pdf
谢谢!我只是想了解这方面的知识,可能以后要开发此类产品
0
回复
提示
